[发明专利]光发射器件及使用其的照明器

权利要求书

1.光发射器件，其包含发光为350-415nm的第一光发射体和通过暴露 于来自第一光发射体的光而发射可见光的第二光发射体，其中所述第二光发 射体包含具有下式[1]化学组成的结晶相的荧光体：

Eu_aSr_bM¹_5-a-b(PO₄)_cX_d    [1]

其中，M¹表示除Eu和Sr之外的金属元素，X表示除PO₄之外的一价 阴离子基团，a和b代表满足以下的数字：0.2≤a≤1.5，b≥3，且a+b≤5， c代表满足2.7≤c≤3.3的数字，和d代表满足0.9≤d≤1.1的数字。

2.根据权利要求1的光发射器件，其中0.3≤a≤1.5。

3.根据权利要求1的光发射器件，其中70mol％或更多的M¹由至少一 个选自Ba、Mg、Ca、Zn和Mn的元素构成。

4.根据权利要求1的光发射器件，其中50mol％或更多的X由Cl构成。

5.根据权利要求1的光发射器件，其中M¹由至少一个选自Ba、Mg、 Ca、Zn和Mn的元素构成；并且X由Cl构成。

6.根据权利要求1的光发射器件，其中M¹由至少一个选自Ba、Mg和 Ca的元素构成；并且X由Cl构成。

7.根据权利要求1的光发射器件，其中70mol％或更多的M¹由至少一 个选自Ba、Mg、Ca、Zn和Mn的元素构成；并且50mol％或更多的X由 Cl构成。

8.根据权利要求1的光发射器件，其中a+b＝5。

9.根据权利要求1-8的任一项的光发射器件，其中第一光发射体光发射 二极管。

10.根据权利要求1-8的任一项的光发射器件，其中第一光发射体为激 光二极管。

11.根据权利要求1-8的任一项的光发射器件，其中第一光发射体可通 过使用GaN系化合物半导体获得。

12.根据权利要求10的光发射器件，其中第一光发射体可通过使用GaN 系化合物半导体获得。

13.根据权利要求12的任一项的光发射器件，其中第一光发射体为面 发光型GaN系激光二极管。

14.根据权利要求1-8的任一项的光发射器件，其中第二光发射体为膜 形式。

15.根据权利要求13的光发射器件，其中第二光发射体为膜形式。

16.根据权利要求14的光发射器件，其中当使第二光发射体的膜表面 与第一光发射体的光发射表面直接接触时或者当在第一光发射体的光发射 表面上模制第二光发射体时，可见光是直接发射。

17.根据权利要求1-8的任一项的光发射器件，其中第二光发射体通过 在树脂中分散粉末形式的荧光体而获得。

18.根据权利要求16的光发射器件，其中第二光发射体通过在树脂中 分散粉末形式的荧光体而获得。

19.根据权利要求1-8的任一项的光发射器件，其中从该光发射器件发 出的光是来自第一光发射体的光和来自第二光发射体的光的混合，并且是白 色。

20.根据权利要求18的光发射器件，其中从该光发射器件发出的光是 来自第一光发射体的光和来自第二光发射体的光的混合，并且是白色。

21.一种照明器，具有根据权利要求1-20任一项的光发射器件。