[发明专利]光发射器件及使用其的照明器

权利要求书

1.光发射器件，其包含发光为350-415nm的第一光发射体和通过暴露于来自第一光发射体的光而发射可见光的第二光发射体，其中所述第二光发射体包含具有下式[2]化学组成的结晶相的荧光体：

M²_(e-ex)M^2’_exEu_fM³_(g-gy)M^3’_gyM⁴_(h-hz)M^4’_hzO_i        [2]

其中，M²表示至少一个选自Ba，Sr和Ca的元素，M^2’表示一价元素或二价金属元素，其中Ba，Sr，Ca和Eu除外，当络合数为6时，其在二价形式中具有的半径为或更大，M³表示至少一个选自Mg和Zn的元素，M^3’表示二价金属元素，其中Mg和Zn除外，当络合数为6时，其在二价形式中具有的半径小于，M⁴表示至少一个选自Al，Ga和Sc的元素，M^4’表示三价金属元素，其中Al，Ga和Sc除外，f代表满足0.11≤f≤0.99的数字，e代表满足0.9≤(e+f)≤1.1的数字，g代表满足0.9≤g≤1.11的数字，h代表满足9≤h≤11的数字，i代表满足15.3≤g≤18.7的数字，x代表满足0≤x<0.2的数字，y代表满足0≤y<0.2的数字，和z代表满足0≤z<0.2的数字。

2.根据权利要求1的光发射器件，其中f代表0.15≤f≤0.85。

3.根据权利要求1的光发射器件，其中f代表0.2<f≤0.85。

4.根据权利要求1的光发射器件，其中f代表0.3≤f≤0.85。

5.根据权利要求1的光发射器件，其中f代表0.3≤f≤0.5。

6.根据权利要求1的光发射器件，其中M⁴表示Al。

7.根据权利要求1的光发射器件，其中M³表示Mg。

8.根据权利要求1的光发射器件，其中M²至少包含Ba。

9.根据权利要求1的光发射器件，其中Ba对总的M²和M^2’的比率为30mol％或更多，同时，至少一个Sr和Ca对所述总的比率为20mol％或更多。

10.根据权利要求1的光发射器件，其中z代表0。

11.根据权利要求9的光发射器件，其中z代表0。

12.根据权利要求1的光发射器件，其中x和y各自代表0。

13.根据权利要求11的光发射器件，其中x和y各自代表0。

14.根据权利要求1-13的任一项的光发射器件，其中第一光发射体为激光二极管或光发射二极管.

15.根据权利要求14的光发射器件，其中第一光发射体为激光二极管。

16.根据权利要求1-13的任一项的光发射器件，其中第一光发射体可通过使用GaN系化合物半导体获得。

17.根据权利要求15的光发射器件，其中第一光发射体可通过使用GaN系化合物半导体获得。

18.根据权利要求1-13的任一项的光发射器件，其中第一光发射体为面发光型GaN系激光二极管。

19.根据权利要求1-13的任一项的光发射器件，其中第二光发射体为膜形式。

20.根据权利要求18的光发射器件，其中第二光发射体为膜形式。

21.根据权利要求19的光发射器件，其中当使第二光发射体的膜表面与第一光发射体的光发射表面直接接触时或者当在第一光发射体的光发射表面上模制第二光发射体时，可见光是直接发射。