[发明专利]半导体激光器保护电路、光拾取装置、及信息记录重放装置有效
申请号: | 200810169100.1 | 申请日: | 2008-10-27 |
公开(公告)号: | CN101420102A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
发明(设计)人: | 铃木弘文 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01S5/00 | 分类号: | H01S5/00;G11B7/12;H02H7/20 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 谢丽娜;关兆辉 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体激光器 保护 电路 拾取 装置 信息 记录 重放 | ||
技术领域
本发明涉及到一种保护半导体激光器免于静电破坏的半导体激光 器保护电路、光拾取装置、及信息记录重放装置,具体而言涉及到一 种使对光盘或光磁盘等盘状光记录介质进行的信息记录重放所使用的 半导体激光器免于受到静电破坏的半导体激光器保护电路、光拾取装 置、及信息记录重放装置。
背景技术
在向致密光碟(Compact Disk:简称CD)或数字多用盘(Digital Versatile Disk:简称DVD)等光记录介质进行信息记录重放的信息记 录重放装置中,使用搭载了半导体激光器的光拾取装置。
保护光拾取装置中安装的半导体激光器不受静电干扰的静电对策 例如如下进行:半导体激光器安装在软性基板或硬质基板等基板上时, 在基板上通过锡焊直接连接半导体激光器的两个端子,使其为短路状 态。静电产生的电流即使流入到半导体激光器中,由于半导体激光器 的端子之间为短路状态,因此可保护半导体激光器免受静电干扰。例 如存在以下技术:在光拾取装置中形成二个短路图案,使这二个短路 图案与半导体激光器的各端子连接,通过锡焊使这二个短路图案连接, 从而使半导体激光器的两个端子之间为短路状态。
在该技术中,需要进行以下作业:光拾取装置单体下的短路图案 的锡焊作业;将光拾取装置组装到光记录介质的记录重放装置时的短 路图案的焊锡去除作业。锡焊作业及焊锡去除作业使用焊烙铁时,存 在因焊烙铁的接地不良导致泄漏电流可能流入到半导体激光器的问 题。
在JP特开2006-49549号公报公开的技术中,半导体激光器保护 电路将芯片电阻器或由导电性材料构成的电阻器与半导体激光器并 联,使半导体激光器为短路状态。通过与半导体激光器并联的电阻器, 保护半导体激光器不受静电干扰。拾取调整结束后,在芯片电阻器的 情况下,将连接芯片电阻器的图案断开,在导电性材料的情况下,通 过拂拭或剥离去除导电性材料,解除半导体激光器的短路状态。
在JP特开2006-49549号公报公开的技术中,通过电阻器保护半 导体激光器不受静电干扰,不使用焊烙铁便可解除电阻器的短路状态, 因此可避免泄漏电流流入,但在拾取调整结束后,存在需要解除电阻 器短路状态的作业的问题。
在JP实开平6-52018号公报公开的技术中,光信息记录重放装置 使激光二极管保护电路连接到激光二极管的阳极。激光二极管保护电 路包括与激光二极管并联的晶体管,施加到光信息记录重放装置的电 源电压,直到激光二极管保护电路以外的电路变为正常动作的电源电 压为止,使晶体管为通电状态,避免最大额定值以上的电流流入到阳 极接地的激光二极管,防止激光二极管的破坏。
JP实开平6-52018号公报公开的技术可避免最大额定值以上的电 流流入到激光二极管,并防止激光二极管的破坏,但需要向激光二极 管保护电路也提供电力,在无法向光拾取装置提供电力的状态下,存 在无法保护激光二极管等的半导体激光器的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可使半导体激光器不受静电及泄漏电 流干扰、无需解除短路状态的作业的半导体激光器保护电路、光拾取 装置、及信息记录重放装置。
本发明提供一种半导体激光器保护电路,用于保护半导体激光器, 该半导体激光器具有二个端子,其中一个端子接地,其特征在于,包 括与半导体激光器的另一个端子连接的晶体管,该晶体管在基极被施 加预先确定的电压以上的电压时变为导通状态,经由该晶体管使半导 体激光器的另一个端子接地,进一步,在基极被施加比预先确定的电 压小的电压时变为绝缘状态,使半导体激光器的上述另一个端子断开。
并且,本发明优选还包括:第1电阻器,与上述基极连接;和第 1外部端子,与上述第1电阻器连接,用于施加使施加到上述基极的电 压为预先确定的上述第1电压以上的电压。
并且,本发明优选,包括:第2电阻器,具有二个端子,其中一 个端子与上述半导体激光器的上述另一个端子连接;第2外部端子, 与第2电阻器的另一个端子连接;和第2晶体管,与第2外部端子连 接,上述第2晶体管当在第2外部端子施加了预先确定的第2电压时, 经由该第2晶体管使上述晶体管的基极接地,使施加到基极的电压为 比上述预先确定的第1电压小的电压。
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