[发明专利]显示装置、显示装置的驱动方法以及电子设备无效
申请号: | 200810169123.2 | 申请日: | 2008-10-27 |
公开(公告)号: | CN101419776A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
发明(设计)人: | 山下淳一;内野胜秀 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | G09G3/30 | 分类号: | G09G3/30;G09G3/20;H01L51/50 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 驱动 方法 以及 电子设备 | ||
技术领域
本发明涉及显示装置、显示装置的驱动方法以及电子设备、特别地涉及包含电光元件的像素以行列状(矩阵状)配置而成的平面型(flat panel型)的显示装置、该显示装置的驱动方法以及具有该显示装置的电子设备。
背景技术
近年来,在进行图像显示的显示装置的领域,迅速普及包含发光元件像素(像素电路)以行列状配置而成的平面型的显示装置。作为平面型的显示装置,开发使用了根据流过设备的电流值而发光亮度变化的所谓的电流驱动型的电光元件、例如利用了对有机薄膜施加电场则发光的现象的有机EL(电致发光:Electro Luminescence)元件的有机EL显示装置,并发展其商品化。
有机EL显示装置具有以下的特点。即,由于有机EL元件能够以10V以下的施加电压来驱动因此低耗电,此外由于是自发光元件,因此与通过对包含液晶单元的每个像素由该液晶单元来控制来自光源(背光灯)的光强度从而显示图像的液晶显示装置相比,图像的可见度高,而且由于无需液晶显示装置所需的背光灯等照明部件,因此容易实现轻量化和薄型化。另外,由于有机EL元件的响应速度为数μsec左右,非常快,因此不发生运动图像显示时的余像。
在有机EL显示装置中,与液晶显示装置相同地,作为其驱动方法,能够采用单纯(无源:passive)矩阵方式和有源矩阵(active matrix)方式。其中,单纯矩阵方式的显示装置虽然结构简单,但电光元件的发光期间根据扫描线(即、像素数)的增加而减少,因此存在难以实现大型且高精度的显示装置等问题。
因此,近年来,盛行通过设置在与电光元件同一像素电路内的有源元件,例如绝缘栅极型场效应晶体管(一般为TFT(薄膜晶体管:Thin FilmTransistor)),从而控制流过该电光元件的电流的有源矩阵方式的显示装置的开发。有源矩阵方式的显示装置由于电光元件经过1帧的期间持续发光,因此容易实现大型且高精度的显示装置。
但是,一般,已知有机EL元件的I—V特性(电流—电压特性)随着时间的经过而劣化(即,经时劣化)。在使用N沟道型的TFT作为用于电流驱动有机EL元件的晶体管(以下,称为“驱动晶体管”)的像素电路中,由于在驱动晶体管的源极侧连接有机EL元件,因此若有机EL元件的I—V特性经时劣化,则驱动晶体管的栅极—源极间电压Vgs变化,其结果,有机EL元件的发光亮度也变化。
对此更具体地进行说明。驱动晶体管的源极电位由该驱动晶体管和有机EL元件的动作点来决定。且,若有机EL元件的I—V特性劣化,则导致驱动晶体管和有机EL元件的动作点变动,因此即使对驱动晶体管的栅极施加相同的电压,驱动晶体管的源极电位也变化。由此,由于驱动晶体管的源极—栅极间电压Vgs变化,因此流过该驱动晶体管的电流值变化。其结果,流过有机EL元件的电流值也变化,因此,有机EL元件的发光亮度变化。
此外,在使用了多晶硅(poly silicon)TFT的像素电路中,除了有机EL元件的I—V特性的经时劣化以外,驱动晶体管的阈值电压Vth和构成驱动晶体管的沟道的半导体薄膜的迁移率(以下、称为“驱动晶体管的迁移率”)μ随着时间而变化,或者由于制造工艺的偏差而阈值电压Vth和迁移率μ对每个像素而不同(每个晶体管特性具有偏差)。
由于若驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率μ对每个像素不同,则对每个像素流过驱动晶体管的电流值产生偏差,因此即使在驱动晶体管的栅极施加在像素之间相同的电压,对有机EL元件的发光亮度在像素之间产生偏差,其结果,画面的一致性(uniformity)受到破坏。
因此,为了即使有机EL元件的I—V特性经时劣化,或者驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率μ经时变化,也不受其影响地将有机EL元件的发光亮度保持一定,采用以下结构:即使每个像素电路具有对于有机EL元件的特性变动的补偿功能,而且具有对于驱动晶体管的阈值电压Vth的变动的校正(以下,称为“阈值校正”)、和对于驱动晶体管的迁移率μ的变动的校正(以下,称为“迁移率校正”)的各个校正功能(例如参照专利文献1)。
由此,通过使各个像素电路具有对于有机EL元件的特性变动的补偿功能以及对于驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率μ的变动的校正功能,从而即使有机EL元件的I—V特性经时劣化,或者驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率μ经时变化,也能够不受其影响地将有机EL元件的发光亮度保持一定。
专利文献1:(日本)特开2006-133542号公报
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