[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具有：

在1主面形成有连接突起部的多个电极部的半导体元件；以及

对所述半导体元件利用透明粘接构件进行粘接的光学构件、使其覆盖所述突起部和所述电极部，

所述光学构件与所述突起部连接，

所述透明粘接构件的相对于应力的位移量相比所述突起部要大，

而且，所述多个电极部通过形成于所述半导体元件的导通用贯通孔，与形成于所述半导体元件的另一面的外部电极电连接。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述导通用贯通孔位于所述电极部的正下方；

作为所述导通用贯通孔的侧面与所述半导体元件的所述1主面形成的角度，在1个导通用贯通孔中具有2个不同的角度。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述导通用贯通孔位于所述电极部的正下方，

作为所述导通用贯通孔的侧面与所述半导体元件的所述1主面形成的角度，在1个导通用贯通孔中具有2个不同的角度，

这些角度中，靠近所述半导体元件的另一面一侧的所述导通用贯通孔的侧面所形成的角度较小。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述突起部是对形成于由Au构成的金属细线的前端的球形金属进行接合的结构。

5.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：

在半导体晶片内假想等间隔地分割、形成多个半导体元件的工序；

在所述半导体晶片的1主面上对每个半导体元件形成多个电极部的工序；

将突起部连接到每个电极部的工序；

对所述半导体晶片利用透明粘接构件粘接光学构件、使其覆盖所述电极部和所述突起部且与所述突起部连接的工序；

研磨所述半导体晶片的另一面的工序；

在所述半导体晶片的另一面的所述电极部正下方附近形成导通用贯通孔的工序；

在所述导通用贯通孔的内壁和所述半导体晶片的另一面形成绝缘膜的工序；

通过在所述导通用贯通孔内壁的绝缘膜上和与导通用贯通孔内壁连接的所述半导体晶片的另一面的绝缘膜上的一部分形成导体层、以所述导体层的所述半导体晶片的另一面一侧作为外部电极、通过所述导体层与所述电极部进行电连接的工序；及

通过将所述半导体晶片按每个半导体元件进行分割切断、使半导体器件单片化的工序。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在研磨所述半导体晶片的另一面时，在所述突起部正下方的所述半导体晶片形成成为所述导通用贯通孔的一部分的凹部。

7.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

使所述导通用贯通孔位于所述电极部的正下方，

作为所述导通用贯通孔的侧面与所述半导体元件的所述1主面形成的角度，所述凹部的侧面与所述导通用贯通孔的凹部以外的部分是不同的角度。

8.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

使所述导通用贯通孔位于所述电极部的正下方，

作为所述导通用贯通孔的侧面与所述半导体元件的所述1主面形成的角度，所述凹部的侧面与所述导通用贯通孔的凹部以外的部分是不同的角度，所述凹部的该角度较小。

9.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述突起部是对形成于由Au构成的金属细线的前端的球形金属进行接合的结构。