[发明专利]芯片-晶圆接合装置及接合的方法有效
申请号: | 200810169259.3 | 申请日: | 2008-10-10 |
公开(公告)号: | CN101447400A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 余振华;洪瑞斌;吴文进;汪青蓉;邱文智 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/50 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 接合 装置 方法 | ||
1.一种接合装置,包括:
清洁组件,用于清洗多个芯片,以及
芯片-晶圆接合室,接受该清洁组件的所述多个芯片,并将所述多个芯片接合到晶圆,其中芯片-晶圆接合室处于真空状态。
2.如权利要求1所述的接合装置,其中该清洁组件执行至少一湿式或干式清洗。
3.如权利要求1所述的接合装置,其中该清洁组件充满气体,以清洗所述多个芯片,其中该气体从下列组成的族群中选择:甲酸蒸气、氢气、还原气体的远距电浆及上述组合。
4.如权利要求1所述的接合装置,其中该清洁组件还包括:机械装置,用以移除所述多个芯片上的多个微粒。
5.如权利要求1所述的接合装置,其中该清洁组件包括:清洁室,用以清洗所述多个芯片。
6.如权利要求1所述的接合装置,其中该清洁组件包括:芯片清洁通道,用以传送所述多个芯片通过该芯片清洁通道,并清洗位于该芯片清洁通道中的所述多个芯片。
7.如权利要求1所述的接合装置,还可包括:气体供应装置,用以提供气体到该芯片-晶圆接合室中,并在该芯片-晶圆接合室中提供无氧空间。
8.如权利要求7所述的接合装置,其中该气体从下列组成的族群中选择:惰性气体、制程气体、混合甲酸蒸气及上述组合。
9.如权利要求1所述的接合装置,还可包括:晶圆级接合室,以进行晶圆级接合程序。
10.如权利要求9所述的接合装置,其中该晶圆级接合程序包括在该晶圆及所述多个芯片间施行至少热接合及机械压力接合。
11.如权利要求9所述的接合装置,其中该晶圆级接合室对该晶圆施行清洗程序。
12.如权利要求9所述的接合装置,还可包括:晶圆清洁室,对该晶圆施行清洗程序。
13.如权利要求12所述的接合装置,还可包括:缓冲室,邻近该晶圆级接合室与该晶圆清洗室,用以在该晶圆级接合室、晶圆清洁室及芯片-晶圆接合室中传送该晶圆。
14.如权利要求9所述的接合装置,其中该晶圆级接合室在100℃到500℃下施行晶圆级接合程序。
15.一种芯片-晶圆接合装置,包括:
清洁组件,用以清洗多个芯片;
芯片-晶圆接合室,用于接合所述多个芯片到晶圆上;
晶圆级接合室邻近该芯片-晶圆接合室,用以执行晶圆级接合程序使所述多个芯片接合到该晶圆上。
16.如权利要求15所述的接合装置,其中该清洁组件包括:清洁室,以清洗所述多个芯片。
17.如权利要求15所述的接合装置,其中该清洁组件包括:芯片清洁通道,用以传送所述多个芯片通过该芯片清洁通道,并清洗位于该芯片清洁通道中的所述多个芯片。
18.一种芯片-晶圆接合的方法,包括:
负载多个芯片到芯片-晶圆接合装置中,该芯片-晶圆接合装置包括:
清洁组件,用以清洗所述多个芯片;以及
芯片-晶圆接合室,处于真空状态,用以接受该清洁组件中的所述多个芯片,并将所述多个芯片接合到晶圆上;
清洗所述多个芯片;以及
接合所述多个芯片到晶圆上。
19.如权利要求18所述的芯片-晶圆接合方法,还可包括在该芯片-晶圆接合装置中的晶圆级接合室内,执行晶圆级接合程序使所述多个芯片接合到该晶圆上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造