[发明专利]半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其特征在于，

由半导体基板构造和发光二极管构造构成，上述半导体基板构造具 有：半导体基板；在上述半导体基板的第1表面上配置的第1金属层；以 及在上述半导体基板的第2表面上配置的第2金属层，上述发光二极管构 造配置在上述半导体基板构造上，具有：第3金属层；配置在上述第3金 属层上且由透明绝缘膜和该透明绝缘膜上的电流控制电极构成的电流控 制层；在上述电流控制层上配置的外延生长层；以及在上述外延生长层上 配置的表面电极，

使用上述第1金属层和上述第3金属层，来粘贴上述半导体基板构造 和上述发光二极管构造，

上述外延生长层具有矩形的平面图案，

上述表面电极具有：

在上述矩形的平面图案上的中心部配置的中心电极；

与上述中心电极连接且从上述中心电极向上述矩形的对角线方向延 伸的耦合电极；以及

与上述耦合电极连接并且在上述矩形的四角配置的周边电极，

上述电流控制电极的分布，按照上述矩形的平面图案中周边部分的密 度变高、所述中心部的密度变低的方式被配置在上述外延生长层中除上述 中心电极以外的区域。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

上述周边电极具有开口部。

3.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，

上述开口部为矩形。

4.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，

上述开口部实质上为圆形。

5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

上述周边电极具有与上述耦合电极正交的部分。

6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

通过热压接粘贴上述第1金属层和上述第3金属层，由此粘贴上述半 导体基板构造和上述发光二极管构造。

7.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

上述半导体基板由GaAs形成。

8.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

上述外延生长层由GaAs层形成。

9.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

上述第1金属层、上述第2金属层、上述第3金属层、上述表面电极 以及上述电流控制电极都由金层形成。

10.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

上述透明绝缘膜由氧化硅膜、氮化硅膜、SiON膜、SiOxNy膜、或者 这些多层膜的任一种来形成。

11.一种半导体发光元件，其特征在于，具有：

外延生长层；

在上述外延生长层的第1表面上配置的表面电极；

在上述外延生长层的第2表面上配置的透明绝缘膜；

对上述透明绝缘膜图案化并在上述第2表面上配置的电流控制电极； 以及

在上述透明绝缘膜和上述电流控制电极上配置的金属层，

上述外延生长层具有矩形的平面图案，

上述表面电极具有：

在上述矩形的平面图案上的中心部配置的中心电极；

与上述中心电极连接且从上述中心电极向上述矩形的对角线方向延 伸的耦合电极；以及

与上述耦合电极连接且在上述矩形的四角上配置的周边电极，

上述电流控制电极的分布，按照上述矩形的平面图案中周边部分的密 度变高、所述中心部的密度变低的方式被配置在上述外延生长层中除上述 中心电极以外的区域。

12.根据权利要求11所述的半导体发光元件，其特征在于，

上述周边电极具有开口部。

13.根据权利要求11所述的半导体发光元件，其特征在于，

上述周边电极具有与上述耦合电极正交的部分。