[发明专利]全息图记录介质的间隙层用膜及全息图记录介质无效

专利信息
申请号: 200810169424.5 申请日: 2008-10-16
公开(公告)号: CN101414120A 公开(公告)日: 2009-04-22
发明(设计)人: 常守秀幸 申请(专利权)人: 帝人化成株式会社
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;G03H1/04;G11B7/24;G11B7/26
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 高龙鑫;吴小瑛
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 全息图 记录 介质 间隙 层用膜
【说明书】:

技术领域

本发明涉及双折射低的表面平滑性良好的由聚碳酸酯树脂形成的全息图记录介质的间隙层用膜以及全息图记录介质。

背景技术

能够进行三维信息记录的全息图记录介质,与光磁记录介质或相变化光记录介质等相比,是一种可实现大容量·高速传送的光记录技术。

全息图的记录再生方式如下所示,作为二维图像而照射赋予信息的信息光与参照光并使其发生干涉,利用形成的干涉图案使在记录层内部产生折射率等的光学特性分布,由此记录信息。再生时,通过仅照射参照光,得到具有对应记录的干涉图案的光学特性分布的再生光。

作为该全息图记录介质的记录层,已知,通常,在自由基聚合性化合物及光自由基聚合引发剂之外,还具有三维交联聚合物基体(例如,专利文献1)。三维交联聚合物基体,具有抑制自由基聚合性化合物的过量移动,从而抑制记录层中相当于亮部的位置及相当于暗部的位置的体积变化的功能。作为三维交联聚合物基体材料,可以举出环氧化合物、来自阳离子聚合性单体的反应固化物等(例如,专利文献2)。

另外,作为全息图记录介质的结构,已经进行了各种研究,提出了如图1所示的全息图记录介质(例如,专利文献3、4、5)。在支撑体第二基板1表面上设置伺服凹坑图案8,在该伺服凹坑图案8表面上层积由金属反射膜构成的反射层2。进一步,在反射层2与过滤器层4之间,设置为了使第二基板1平坦化的间隙层3。即,在过滤器层4上,依次层积保护层5、记录层6、透光性第一基板7,从而制成。

作为构成全息图记录介质的间隙层3使用的基材,提出了从双酚A得到的聚碳酸酯树脂(下面标记为PC—A)形成的光学膜。作为现有技术的制造聚碳酸酯树脂膜的方法,采用熔融制膜法或溶液制膜法。

专利文献6中,提出了一种制造光学记录介质的方法,其使用通过熔融浇铸法(其实质为溶液制膜法)制造的树脂板作为透光层,作为该树脂的一种,其使用聚碳酸酯;该板,使用控制了厚度不匀、双折射以及残留溶剂等的特性的板。

另外,专利文献7、8中,记载了使用聚碳酸酯通过溶液制膜法制造透光层用膜。其中,规定了膜的厚度、厚度不匀、热尺寸变化率、全光线透过率、溶剂含有量、面内迟延、厚度方向的迟延的最大值、表面粗糙度等。

溶液制膜法的优点在于,可得到作为光记录层用膜的品质优良的膜。但是,在以二氯甲烷作为溶剂的溶液制膜法中,受到所能够制造的聚碳酸酯膜的厚度的方面的制约。即,使用聚碳酸酯进行溶液制膜时,聚碳酸酯(特别是双酚A—PC),在溶剂的干燥过程中发生结晶化,难以得到透明的具有柔软性的膜。从作为光盘基板使用的双酚A—PC(粘均分子量15000)的二氯甲烷溶液制膜,难以制成50μm以上的厚的透明膜。由此可见,溶液制膜法难以制造,本发明所要求的透光层用膜的厚度为完全覆盖约10~150μm的范围的膜。

另一方面,使用熔融制膜法的优点在于,将熔融的双酚A—PC制成膜状,进行快速冷却,能够防止从熔融状态产生的结晶化,能够制成不受厚度制约的高透明的膜。但是,在熔融制膜法中,由于难以将双折射充分地降低,不能使厚度均匀不充分以及表面缺陷点多等的问题消失,其现状是,不能得到满足的特性。

(专利文献1) JP 特开平11—161137号公报

(专利文献2) JP 特开2005—107312号公报

(专利文献3) JP 特开2004—265472号公报

(专利文献4) JP 特开2007—093799号公报

(专利文献5) JP 特开2007—079164号公报

(专利文献6) JP 特开2002—074749号公报

(专利文献7) JP 特开2001—243658号公报

(专利文献8) JP 特开2001—243659号公报

发明内容

本发明的目的是提供一种作为全息图记录介质的间隙层具有优选的物理性质及光学特性的膜。

为了解决上述课题,本发明提供下述方案。

1.一种全息图记录介质的间隙层用膜,其由熔融挤出聚碳酸酯树脂而制成,其特征在于,

(1)膜的厚度为10~150μm;

(2)厚度不匀为±2μm以下;

(3)在140℃下进行热处理1小时后的热尺寸变化率为0.08%以下;

(4)全光线透过率为89%以上;

(5)面内迟延为1~15nm;

(6)厚度方向的迟延为100nm以下;及

(7)中心线平均表面粗糙度为两表面均为1~5nm的范围。

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