[发明专利]形成双镶嵌结构的方法

权利要求书

1.一种形成双镶嵌结构的方法，包含：

根据实验得到光致抗蚀剂的厚度随完全爆开光致抗蚀剂所需的最小能 量间的周期性变化，由该周期性变化确定与光源相关的周期参数C；

提供基材，其上依序具有蚀刻停止层与层间介电层位于该基材上，且该 层间介电层具有厚度A；

图案化该层间介电层以形成第一开口；

于该层间介电层上形成光致抗蚀剂层，且该光致抗蚀剂层具有厚度B， 其中厚度B由公式(A+B)/C≈X/2确定，X为奇数；

通过该光源图案化该光致抗蚀剂层；以及

通过该图案化光致抗蚀剂层图案化该层间介电层，以建立位于该第一开 口上方的第二开口而形成该双镶嵌结构。

2.如权利要求1所述的形成双镶嵌结构的方法，其中构成该蚀刻停止层 的材料选自由碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化钛、金属所组成的群组。

3.如权利要求1所述的形成双镶嵌结构的方法，其中该层间介电层选自 由氧化硅、含氟氧化硅、SiLK^TM、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、四乙氧硅烷所组 成的群组。

4.如权利要求1所述的形成双镶嵌结构的方法，其中形成于该层间介电 层中的该第一开口不暴露该蚀刻停止层。

5.如权利要求4所述的形成双镶嵌结构的方法，其中该第一开口的深度 决定(A+B)量的折减。

6.如权利要求1所述的形成双镶嵌结构的方法，其中该第一开口暴露该 蚀刻停止层。

7.如权利要求1所述的形成双镶嵌结构的方法，其中该光源的波长决定 该周期参数。

8.一种形成双镶嵌结构的方法，包含：

根据实验得到光致抗蚀剂的厚度随完全爆开光致抗蚀剂所需的最小能 量间的周期性变化，由该周期性变化确定与光源相关的周期参数C；

提供基材，其中蚀刻停止层与层间介电层依序位于该基材上，该层间介 电层具有厚度A；

图案化该层间介电层以形成第一开口；

于该层间介电层上形成光致抗蚀剂层，且该光致抗蚀剂层具有厚度B；

于该光致抗蚀剂层上形成顶抗反射层；

通过该光源图案化该光致抗蚀剂层还有该顶抗反射层；以及

通过该图案化的光致抗蚀剂层还有该顶抗反射层图案化该层间介电层， 以建立位于该第一开口上方的第二开口而形成该双镶嵌结构，其中厚度B由 公式(A+B)/C≈N确定，N为自然数。

9.如权利要求8所述的形成双镶嵌结构的方法，其中该蚀刻停止层选自 由碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化钛、金属所组成的群组。

10.如权利要求8所述的形成双镶嵌结构的方法，其中该层间介电层选 自由氧化硅、含氟氧化硅、SiLK^TM、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、四乙氧硅烷所 组成的群组。

11.如权利要求8所述的形成双镶嵌结构的方法，其中该第一开口不暴 露该蚀刻停止层。

12.如权利要求11所述的形成双镶嵌结构的方法，其中该第一开口的深 度决定(A+B)量的折减。

13.如权利要求8所述的形成双镶嵌结构的方法，其中该第一开口暴露 该蚀刻停止层。

14.如权利要求8所述的形成双镶嵌结构的方法，其中该光源的波长决 定该周期参数。