[发明专利]铁磁隧道结元件、磁记录装置以及磁存储器装置无效
申请号: | 200810169642.9 | 申请日: | 2008-10-13 |
公开(公告)号: | CN101414657A | 公开(公告)日: | 2009-04-22 |
发明(设计)人: | 佐藤雅重;梅原慎二郎;指宿隆弘 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01F10/32;G11B5/39 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李 辉 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隧道 元件 记录 装置 以及 磁存储器 | ||
1、一种铁磁隧道结元件,其包括:
钉扎层,其中保持了至少一部分磁化方向;
形成在该钉扎层上的绝缘层,该绝缘层创建电子能够通过隧道效应 流过的能量势垒;
形成在该绝缘层上且由包含硼原子的第一铁磁材料制成的第一自由 层,其中磁化方向在外部磁场的影响下转换;以及
形成在该第一自由层上且由包含硼原子的第二铁磁材料制成的第二 自由层,其中该磁化方向在该外部磁场的影响下转换,该第二自由层与 该第一自由层交换并耦合。
2、根据权利要求1所述的铁磁隧道结元件,其中,所述第二铁磁材 料是非晶形的。
3、根据权利要求1所述的铁磁隧道结元件,其中,所述第二铁磁材 料包含10-25%的硼原子。
4、根据权利要求1所述的铁磁隧道结元件,其中,所述第一铁磁材 料包含10-25%的硼原子。
5、根据权利要求1所述的铁磁隧道结元件,其中,所述第一铁磁材 料包含Co原子和Fe原子。
6、根据权利要求1所述的铁磁隧道结元件,其中,所述第二自由层 的矫顽磁性低于所述第一自由层的矫顽磁性。
7、根据权利要求1所述的铁磁隧道结元件,其中,所述铁磁材料包 含Ni原子和Fe原子。
8、根据权利要求7所述的铁磁隧道结元件,其中,所述Ni原子对 Fe原子的比例为85%或更大。
9、根据权利要求1所述的铁磁隧道结元件,其中,所述绝缘层为结 晶形的。
10、根据权利要求1所述的铁磁隧道结元件,其中,所述绝缘层包 含部分结晶的氧化镁氧化物。
11、一种磁记录装置,其包括:
用于信息记录/再现的磁记录介质;和
头滑块,该头滑块用于将信息记录到该磁记录介质上/从该磁记录介 质再现信息,该头滑块与该磁记录介质相对布置,
其中,该头滑块包括:
具有钉扎层的磁头,在该钉扎层中至少部分磁化方向被保持在一个 特定方向上;
形成在该钉扎层上的绝缘层,该绝缘层创建电子能够通过隧道效应 流过的能量势垒;
形成在该绝缘层上且由包含硼原子的第一铁磁材料制成的第一自由 层,在该第一自由层中磁化方向在外部磁场的影响下转换;
隧道结元件,该隧道结元件具有形成在该第一自由层上且由包含硼 原子的第二铁磁材料制成的第二自由层,在该第二自由层中磁化方向在 该外部磁场的影响下转换,该第二自由层与该第一自由层交换并耦合。
12、一种磁存储器装置,其包括:
钉扎层,其中至少部分磁化方向保持在一个特定方向上;
形成在该钉扎层上的绝缘层,该绝缘层创建电子能够通过隧道效应 流过的能量势垒;
形成在该绝缘层上且由包含硼原子的第一铁磁材料制成的第一自由 层,其中磁化方向在外部磁场的影响下转换;
铁磁隧道结元件,该铁磁隧道结元件具有形成在该第一自由层上且 由包含硼原子的第二铁磁材料制成的第二自由层,在该第二自由层中磁 化方向在该外部磁场的影响下转换,该第二自由层与该第一自由层交换 并耦合;
用于对该铁磁隧道结元件施加磁场以在特定方向上转换该第一自由 层和该第二自由层的磁化方向的写装置;以及
用于通过对该铁磁隧道结元件施加感测电流来检测隧道电阻值的读 装置。
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