[发明专利]铁磁隧道结元件、磁记录装置以及磁存储器装置无效

专利信息
申请号: 200810169642.9 申请日: 2008-10-13
公开(公告)号: CN101414657A 公开(公告)日: 2009-04-22
发明(设计)人: 佐藤雅重;梅原慎二郎;指宿隆弘 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01F10/32;G11B5/39
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 李 辉
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 隧道 元件 记录 装置 以及 磁存储器
【权利要求书】:

1、一种铁磁隧道结元件,其包括:

钉扎层,其中保持了至少一部分磁化方向;

形成在该钉扎层上的绝缘层,该绝缘层创建电子能够通过隧道效应 流过的能量势垒;

形成在该绝缘层上且由包含硼原子的第一铁磁材料制成的第一自由 层,其中磁化方向在外部磁场的影响下转换;以及

形成在该第一自由层上且由包含硼原子的第二铁磁材料制成的第二 自由层,其中该磁化方向在该外部磁场的影响下转换,该第二自由层与 该第一自由层交换并耦合。

2、根据权利要求1所述的铁磁隧道结元件,其中,所述第二铁磁材 料是非晶形的。

3、根据权利要求1所述的铁磁隧道结元件,其中,所述第二铁磁材 料包含10-25%的硼原子。

4、根据权利要求1所述的铁磁隧道结元件,其中,所述第一铁磁材 料包含10-25%的硼原子。

5、根据权利要求1所述的铁磁隧道结元件,其中,所述第一铁磁材 料包含Co原子和Fe原子。

6、根据权利要求1所述的铁磁隧道结元件,其中,所述第二自由层 的矫顽磁性低于所述第一自由层的矫顽磁性。

7、根据权利要求1所述的铁磁隧道结元件,其中,所述铁磁材料包 含Ni原子和Fe原子。

8、根据权利要求7所述的铁磁隧道结元件,其中,所述Ni原子对 Fe原子的比例为85%或更大。

9、根据权利要求1所述的铁磁隧道结元件,其中,所述绝缘层为结 晶形的。

10、根据权利要求1所述的铁磁隧道结元件,其中,所述绝缘层包 含部分结晶的氧化镁氧化物。

11、一种磁记录装置,其包括:

用于信息记录/再现的磁记录介质;和

头滑块,该头滑块用于将信息记录到该磁记录介质上/从该磁记录介 质再现信息,该头滑块与该磁记录介质相对布置,

其中,该头滑块包括:

具有钉扎层的磁头,在该钉扎层中至少部分磁化方向被保持在一个 特定方向上;

形成在该钉扎层上的绝缘层,该绝缘层创建电子能够通过隧道效应 流过的能量势垒;

形成在该绝缘层上且由包含硼原子的第一铁磁材料制成的第一自由 层,在该第一自由层中磁化方向在外部磁场的影响下转换;

隧道结元件,该隧道结元件具有形成在该第一自由层上且由包含硼 原子的第二铁磁材料制成的第二自由层,在该第二自由层中磁化方向在 该外部磁场的影响下转换,该第二自由层与该第一自由层交换并耦合。

12、一种磁存储器装置,其包括:

钉扎层,其中至少部分磁化方向保持在一个特定方向上;

形成在该钉扎层上的绝缘层,该绝缘层创建电子能够通过隧道效应 流过的能量势垒;

形成在该绝缘层上且由包含硼原子的第一铁磁材料制成的第一自由 层,其中磁化方向在外部磁场的影响下转换;

铁磁隧道结元件,该铁磁隧道结元件具有形成在该第一自由层上且 由包含硼原子的第二铁磁材料制成的第二自由层,在该第二自由层中磁 化方向在该外部磁场的影响下转换,该第二自由层与该第一自由层交换 并耦合;

用于对该铁磁隧道结元件施加磁场以在特定方向上转换该第一自由 层和该第二自由层的磁化方向的写装置;以及

用于通过对该铁磁隧道结元件施加感测电流来检测隧道电阻值的读 装置。

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