[发明专利]透明导电性薄膜、其制造方法以及具备其的触摸面板

权利要求书

1.一种透明导电性薄膜，其在透明的薄膜基材的单面隔着一层以上 的底涂层而具有透明导电体层，其特征在于，

所述透明导电体层使用从铟、锡、锌、镓、锑、钛、硅、锆、镁、铝、 金、银、铜、钯、钨构成的组中选择的至少一种金属的金属氧化物来构成，

所述透明导电体层的厚度d为15～35nm，平均表面粗糙度Ra为 0.37～1nm，

所述透明导电体层的平均表面粗糙度Ra除以所述厚度d后的值为 0.017～0.045，

所述透明导电体层的最大表面粗糙度Ry为7.5～15nm，

所述透明导电体层的最大表面粗糙度Ry除以所述厚度d后的值为 0.34～1。

2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，

从所述透明的薄膜基材侧起第一层的底涂层由有机物形成。

3.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，

所述底涂层至少具有两层以上，且距离透明的薄膜基材最远的底涂层 由无机物形成。

4.根据权利要求3所述的透明导电性薄膜，其特征在于，

由无机物形成的底涂层是SiO₂膜。

5.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，

在所述透明的薄膜基材的另一方的面上隔着透明的粘结剂层而贴合 透明基体。

6.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，

所述透明导电性薄膜用于触摸面板。

7.根据权利要求6所述的透明导电性薄膜，其特征在于，

触摸面板是阻抗膜方式的触摸面板。

8.一种透明导电性薄膜的制造方法，其是权利要求1～7中任一项所 述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，包括：

在透明的薄膜基材的单面形成一层以上的底涂层的工序；以及

在所述底涂层上，在放电输出4～7W/cm²的条件下，将所述透明的薄 膜基材加热到温度80～160℃，对靶进行溅射而形成透明导电体层的工序。

9.根据权利要求8所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，

在形成透明导电体层的工序后，包括以120～160℃进行退火处理，并 使透明导电体层结晶化的工序。

10.一种触摸面板，其特征在于，

具备权利要求1～7中任一项所述的透明导电性薄膜。