[发明专利]抛光监视方法和抛光设备有效
申请号: | 200810170337.1 | 申请日: | 2008-10-16 |
公开(公告)号: | CN101413780A | 公开(公告)日: | 2009-04-22 |
发明(设计)人: | 小林洋一;高桥太郎;广尾康正;小川彰彦;大田真朗 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所 |
主分类号: | G01B7/06 | 分类号: | G01B7/06;B24B29/00;B24B49/04;H01L21/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 蔡胜利 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 抛光 监视 方法 设备 | ||
1.一种利用涡电流传感器监视与抛光垫的抛光面滑动接触的基片 上的导电膜的厚度变化的方法,所述方法包括:
在基片的水抛光过程中,在抛光垫的修整过程中,或在抛光垫的 更换过程中,获取涡电流传感器的输出信号,作为修正信号值;
从修正信号值与预定的修正基准值之间的差值计算出修正量;
当抛光具有导电膜的基片时,通过从涡电流传感器的输出信号减 去修正量而计算出实测信号值;以及
通过监视实测信号值的变化而监视抛光过程中导电膜的厚度变 化;
其中:
涡电流传感器的输出信号包括:包含涡电流传感器线圈的电路的 阻抗的电阻分量和感抗分量;
所述电阻分量和感抗分量由坐标系中的坐标限定;以及
在坐标系中所述坐标被转动和移动,以使得坐标系原点与由坐标 限定的点之间的距离随着导电膜厚度的减小而减小。
2.一种用于抛光基片的设备,包括:
抛光垫,其具有抛光面;
涡电流传感器;
项环,其被构造成将基片推压在所述抛光面上;
修整器,其被构造成修整所述抛光面;
被构造成在基片和所述抛光垫之间提供相对运动的机构;以及
监视单元,其被构造成利用所述涡电流传感器监视与所述抛光面 滑动接触的基片上的导电膜的厚度变化;
其中,所述监视单元可操作,以便:
在基片的水抛光过程中,在所述抛光垫的修整过程中,或在更换 所述抛光垫的过程中,获取所述涡电流传感器的输出信号,作为修正 信号值;
从修正信号值与预定的修正基准值之间的差值计算出修正量;
当抛光具有导电膜的基片时,通过从涡电流传感器的输出信号减 去修正量而计算出实测信号值;以及
通过监视实测信号值的变化而监视抛光过程中导电膜的厚度变 化;
其中,所述涡电流传感器的输出信号包括:包含涡电流传感器线 圈的电路的阻抗的电阻分量和感抗分量;
所述电阻分量和感抗分量由坐标系中的坐标限定;以及
在坐标系中所述坐标被转动和移动,以使得坐标系原点与由坐标 限定的点之间的距离随着导电膜厚度的减小而减小。
3.根据权利要求2的设备,其中,修正基准值包括在与修正信号 值的获取条件相同的条件下预先获得的涡电流传感器的输出信号。
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