[发明专利]存储器装置及其操作存储器的方法有效
| 申请号： | 200810170464.1 | 申请日： | 2008-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN101430931A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 蔡文哲;欧天凡;黄竣祥 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 及其 操作 方法 | ||
1.一种操作一存储器的方法，该存储器具有多个存储器单元，每一 存储器单元具有一第一源极/漏极区以及一第二源极/漏极区，而该第一源 极/漏极区与相邻的一存储器单元共享，其特征在于，该方法包括：
导通该多个存储器单元的一第一存储器单元的第二源极/漏极区与多 个存储器单元的一第二存储器单元的第二源极/漏极区之间的所有通道；
施加一第一电压至该第一存储器单元的第二源极/漏极区并施加一第 二电压至该第二存储器单元的第二源极/漏极区，以程序化该第一存储器单 元，其中第一电压不等于第二电压；以及
施加一电子流至该第一存储器单元的第二源极/漏极区与该第二存储 器单元的第二源极/漏极区之间的至少一第一源极/漏极区；
其中，施加该电子流包括：
施加一第三电压至该存储器的一开关的一第一电极，以开启该开 关；以及
施加该第二电压至该开关的一第二电极，以产生该电子流；
其中该开关的第二电极通过一第一位线耦接至该第二存储器单 元的第二源极/漏极区，该开关的一第三电极通过一第二位线耦接至该 第二存储器单元的第一源极/漏极区，而该电子流是经由该第二位线施 加至该第一存储器单元与该第二存储器单元之间的第一源极/漏极区。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一存储器单元的 通道内的电子流大于该第二存储器单元的通道内的电子流。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，被施加该电子流的该 第一源极/漏极区为该第一存储器单元和该第二存储器单元所共享。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，被施加该电子流的该 第一源极/漏极区属于该多个存储器单元的一第三存储器单元，该第三存储 器单元介于该第一存储器单元和该第二存储器单元之间。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，被施加该电子流的该 第一源极/漏极区处于浮接的状态。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，施加该电子流包括：
施加一第三电压至该存储器的一第一开关的一第一电极，以开启该第 一开关；以及
施加一第四电压至该第一开关的一第二电极，以产生该电子流；
其中该第一开关的一第三电极通过一位线耦接至被施加该电子流的 该第一源极/漏极区。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，施加该电子流包括：
施加一第五电压至该存储器的一第二开关的一第一电极，以开启该第 二开关并使该第一电压被施加到该第一存储器单元的第二源极/漏极区；以 及
施加一第六电压至该存储器的一第三开关的一第一电极，以开启该第 三开关并使该第二电压被施加到该第二存储器单元的第二源极/漏极区；
其中该第三电压小于该第五电压以及该第六电压。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当程序化该第一存储 器单元时，一负电压施加至一衬底，而该多个存储器单元形成在该衬底上。
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