[发明专利]湿式清洗装置的冷却结构有效
申请号: | 200810170613.4 | 申请日: | 2008-10-22 |
公开(公告)号: | CN101419909A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
发明(设计)人: | 李泰雨;李东性 | 申请(专利权)人: | K.C.科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B08B3/08 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭鸿禧;邱 玲 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 装置 冷却 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种湿式清洗装置的冷却结构,尤其涉及可防止用于划分处 理槽之间的隔壁的变形和破损的湿式清洗装置的冷却结构。
背景技术
一般来讲,为了制造半导体元件需反复执行平版印刷(lithography)、蒸 镀和蚀刻等工程。在执行这些工程的过程中,在基板(例如硅片)上会残留 各种微粒(particle)、金属不纯物、有机物等。由于这些污染物会对产品的收 率和可信度带来恶性影响,因此在半导体制造工程中执行用来清除基板上残 留的污染物的清洗工程,以及清洗工程后执行对晶片的烘干工程。
如此,清洗基板的方式根据处理方式可分成干式(Dry)清洗方式和湿式 (Wet)清洗方式。其中湿式清洗方式是指在盛放有处理液的处理槽内将基板 沉浸一定时间而对基板清洗的方式,其中所述处理液由多种药液以预定比例 混合而成。
一般来讲,在湿式清洗装置中,用来处理基板的多个处理槽之间是通过 隔壁而被划分,而所述隔壁由例如PVC等常用的合成树脂构成。
然而,为了处理基板而容纳在处理槽的处理液需要保持高温,因此存在 着处理液所产生的热量使隔壁变形或破损的问题。例如,硫酸和过氧化氢相 混合的处理液在处理槽内能保持120度左右的温度,因此由于处理液所产生 的热量,隔壁会发生变形或破损。并且,隔壁的变形或破损会引发事后更大 的事故。
鉴于此,最近广泛进行着对冷却结构的各种研究,以防止隔壁的劣化和 随之的隔壁的变形及破损。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可有效防止用于划分处理槽之间的隔壁的劣 化,从而防止隔壁的变形及破损的湿式清洗装置的冷却结构。
为了达到如上所述目的的本发明,其湿式清洗装置的冷却结构包括:用 于划分处理槽之间的隔壁;以及布置于隔壁的上端的冷却水供应部,该冷却 水供应部形成有喷射孔,该喷射孔位于与隔壁的侧面相隔离的部位,以用于 朝隔壁倾斜地喷射冷却水。
在本发明中,处理槽是指用于盛放处理液的容器,该处理槽以可容纳用 于清洗的基板的大小形成,而该处理槽的形状及结构根据所需的条件及设计 可进行多种变更。并且,处理槽可包含处理槽盖,通过处理槽盖可选择地开 闭处理槽的上端开口。
冷却水供应部布置在隔壁的上端,并具有从隔壁的侧面相隔离的部位朝 隔壁倾斜地喷射冷却水的喷射孔。喷射孔的数量及结构可根据所需的条件及 设计进行多种变更。例如,冷却水供应部包括:第一喷射孔,该第一喷射孔 在与隔壁的一侧面相隔离的部位朝隔壁的一侧面倾斜地喷射冷却水;以及第 二喷射孔,该第二喷射孔在与隔壁的另一侧面相隔离的部位朝隔壁的另一侧 面倾斜地喷射冷却水。
由于喷射孔相对于隔壁倾斜一定角度而形成,因此被供给到冷却水供应 部的冷却水可以朝隔壁倾斜地喷射,而这种喷射孔的角度可以根据所需的条 件及设计进行多种变更。例如,喷射孔相对于隔壁可以倾斜10°~80°而形 成。
另外,冷却水供应部应当优选地面接触于隔壁。这种冷却水供应部可通 过通常的粘贴或附着的方式被固定到隔壁上,也可以根据情况通过常用的连 接部件安装到隔壁上。当然也可以采用不同的方式,即冷却水供应部滑动结 合到隔壁上,或者隔壁中的一部分被插入到冷却水供应部上。
冷却水供应部的截面可以大致呈四边形,根据情况冷却水供应部的边缘 可以被倒圆处理或倒角处理,以防止处理槽盖与冷却水供应部之间发生干涉。
根据本发明实施例所提供的湿式清洗装置的冷却结构,由于可从设在隔 壁上部的冷却水供应部向隔壁的侧面喷射冷却水,因此可有效防止隔壁的劣 化,以及防止因劣化所导致的隔壁的变形及破损。
并且,根据本发明的实施例,由于可通过设在隔壁上部的一个冷却水供 应部同时冷却隔壁的两侧面,因此能够简化整体的结构及制作工程。
并且,根据本发明的实施例,在冷却水供应部不被变形及扭曲的情况下, 用于冷却隔壁的冷却水可稳定地喷射到隔壁上。
并且,根据本发明的实施例,可事先防止因隔壁的变形及破损所导致的 2次事故,例如可事先防止变形的隔壁与处理槽之间的相互干涉以及变形的 处理槽与移送装置之间的相互干涉。
附图说明
图1为示出适用了根据本发明的冷却结构的湿式清洗装置的结构的立体 图;
图2至图4示出了本发明湿式清洗装置的冷却结构,即为冷却水供应部 的变形例的剖视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造