[发明专利]晶片的分割方法

说明书

技术领域

本发明涉及将在表面通过格子状的分割道(street)划分的区域形成有器件、在背面层叠有金属层的晶片，沿着分割道分割的晶片的分割方法。 

背景技术

在半导体晶片制造工序中，在作为大致圆板形状的半导体晶片的表面通过以格子状排列的称作分割道的分割预定线划分多个区域，在该划分的区域中形成IC、LSI、IBGT(绝缘门极双极型晶体管)等的器件。在(绝缘门极双极型晶体管)等的各个的半导体器件的背面层叠有作为电极的金属层。在半导体基板的表面形成有(绝缘门极双极型晶体管)等的半导体晶片，在半导体基板的背面层叠金属膜后，沿着分割道切断，分割为各个器件。 

这样的半导体晶片的沿着分割道的分割通常通过称作切片机的切削装置进行。该切削装置具备保持作为被加工物的半导体晶片的卡盘工作台、用来将保持在该卡盘工作台上的半导体晶片切削的切削机构、和使卡盘工作台与切削机构相对地移动的移动机构。切削机构包括高速旋转的旋转主轴、和安装在该主轴上的切削刀片。切削刀片由圆盘状的基台和安装在该基台的侧面外周部上的环状的切削刃构成，切削刃将例如粒径3μm左右的金刚石磨粒通过电铸固定而形成(例如参照专利文献1)。 

专利文献1日本特开2002-359212号公报 

但是，如果将在形成有IBGT(绝缘门极双极型晶体管)等的器件的半导体基板的背面层叠有铅或金等的金属层、在半导体基板的背面层叠有金属层的晶片通过切削装置的切削刀片进行切削而分割为各个器件，则可知会发生如下的问题。即，如果将通过切削装置的切削刀片切削层叠了金属层的晶片而分割的器件的金属层侧接合在电极框架上而封装，例如在180℃的温度范围中反复升降实验，则有从半导体基板的金属层向内部几μm 产生云母那样的裂纹、半导体基板从接合在电极框架上的金属层剥离的问题。 

上述问题在层叠在半导体基板的背面的金属层的厚度较厚、或将器件的金属层接合在电极框架上的蜡材(ロ一材)的厚度较厚的情况下，金属层或蜡材会吸收电极框架与半导体基板的热膨胀率的差异带来的热变形，在半导体基板上不会产生裂纹。然而，如果因半导体封装的轻量化及成本降低等的理由而将金属层或蜡材的厚度例如分别减薄到1～2μm左右，则不再能够通过金属层或蜡材吸收电极框架与半导体基板的热膨胀率的差异带来的热变形。此时，在器件的切断面上残留有切削刀片的切断带来的加工应变的情况下，考虑会在半导体基板上产生裂纹。 

发明内容

本发明是鉴于上述情况而做出的，其主要的技术课题是提供一种即使使层叠在半导体基板的背面的金属层的厚度变薄、也能够防止在电极框架上接合有金属层的器件的半导体基板上产生裂纹的晶片的分割方法。 

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种晶片的分割方法，是将晶片沿着第1分割道及第2分割道分割的晶片的分割方法，上述晶片在通过于半导体基板的表面平行延伸的多个上述第1分割道和沿与该多个第1分割道正交的方向延伸的多个上述第2分割道划分的区域中形成器件、在该半导体基板的背面层叠有金属层；其特征在于，该方法包括：基准线形成工序，将晶片的背面侧保持在切削装置的卡盘工作台上，沿着形成在晶片的表面的最外侧的第1分割道切断而形成第1基准线，并且沿着形成在晶片的表面的最外侧的第2分割道切断而形成第2基准线；V槽形成工序，将晶片的表面侧保持在切削装置的卡盘工作台上，以该第1基准线及该第2基准线为基准，将该第1分割道及该第2分割道定位在具有截面形状为V字形的切削刃的切削刀片的切削位置上，通过从晶片的背面侧沿着该第1分割道及该第2分割道切削而将该金属层切断，并且在该半导体基板的背面沿着该第1分割道及该第2分割道形成V字形的切削槽；加工应变除去工序，将被实施该V槽形成工序后残留在形成于该半导体基板上的V字形的切削槽的表面的加工应变除去；以及切断工序，将实施了该加工应变除去工序的晶片通 过沿着该第1分割道及该第2分割道将V字形的切削槽的底部与该半导体基板的表面间切断，由此将晶片分割为各个器件；加工应变除去，是通过使用以氟类气体为主体的等离子产生用气体的等离子蚀刻来实施的，或者在层叠在半导体基板的背面上的金属层是金的情况下，是通过使用硝酸与氟酸的混合液构成的蚀刻液的湿式蚀刻来实施的。 

此外，上述切断工序通过具有比该V字形的切削槽宽度小的宽度的切削刃的切削刀片来实施。 

发明的效果