[发明专利]垂直型交流发光二极管有效

专利信息
申请号: 200810171058.7 申请日: 2008-11-06
公开(公告)号: CN101740557A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 陈威佑;陈彦文;徐舒婷;李宗宪 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陶凤波
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 垂直 交流 发光二极管
【权利要求书】:

1.一种交流发光二极管组合结构,包含:

承载板;

第一交流发光二极管,包含第一n型半导体层、第一发光层、第一p型 半导体层、第一p型电极及第一n型电极;及

第二交流发光二极管,包含第二n型半导体层、第二发光层及第二p型 半导体层、第二p型电极及第二n型电极;

其中该第一交流发光二极管与该第二交流发光二极管或该承载板以倒 装焊键合方式接合,并与该第二交流发光二极管形成反向并联的垂直堆叠结 构。

2.如权利要求1所述的交流发光二极管组合结构,还包括连接该第一交 流发光二极管与该第二交流发光二极管的键合层。

3.如权利要求2所述的交流发光二极管组合结构,其中该键合层的材料 选自ITO、BCB、SINR及HT250所构成的群组。

4.如权利要求2所述的交流发光二极管组合结构,其中该第一交流发光 二极管与该第二交流发光二极管以晶片粘贴方式、管芯粘贴方式形成该垂直 堆叠结构。

5.如权利要求2所述的交流发光二极管组合结构,其中该键合层连接该 第一交流发光二极管的第一n型半导体层与该第二交流电发光二极管的第二 n型半导体层。

6.如权利要求1所述的交流发光二极管组合结构,其中该第一交流发光 二极管与该第二交流发光二极管的发光波长不同。

7.如权利要求1所述的交流发光二极管组合结构,其中该第一n型半导 体层、该第一p型半导体层、该第一发光层、该第二n型半导体层、该第二 p型半导体层与该第二发光层的材料包含选自镓、铝、铟、砷、磷、氮以及 硅所构成群组的一种或一种以上的物质。

8.如权利要求1所述的交流发光二极管组合结构,其中该第一交流发光 二极管的p型电极与该第二交流发光二极管的n型电极电性连接且该第一交 流发光二极管的n型电极与该第二交流发光二极管的p型电极电性连接。

9.如权利要求1所述的交流发光二极管组合结构,还包含位于第二交流 发光二极管之上或在两发光二极管之间的荧光粉涂布。

10.如权利要求1所述的交流发光二极管组合结构,其中该第一交流发光 二极管与该第二交流发光二极管包含粗化结构或微纳米结构。

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