[发明专利]使用诊断装置的光电制造工艺监测及控制无效
申请号: | 200810171158.X | 申请日: | 2008-10-22 |
公开(公告)号: | CN101494250A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 王大鹏;米歇尔·兰吉特·弗赖;苏杰发;维基·斯韦丹科;格雷格·S·海格希 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 诊断 装置 光电 制造 工艺 监测 控制 | ||
1.一种制造光电电池的方法,其包括:
在基板表面之上形成一个或几个光吸收层;
在该一个或几个光吸收层之上沉积导电层;
通过至少去除该导电层的一部分在基板的区域上形成一个或几个诊断装置;
在形成该一个或几个诊断装置之后将基板划分成第一和第二片段,其中使该区域基本位于第一片段内;以及
使用布置在基板第二片段上的该一个或几个光吸收层和该导电层形成光电电池。
2.如权利要求1所述的方法,其中在基板的该区域上形成一个或几个诊断装置包括形成从由电阻测试器、隔离测试器、对准标尺及光电电池性能测试器构成的组中选择的多个诊断装置。
3.如权利要求2所述的方法,其中使多个诊断装置中的每一个适于接收固定距离分隔的第一接触探针和第二接触探针,其中将第一和第二接触探针设置成允许多个诊断装置中的至少一个的电特征。
4.如权利要求2所述的方法,其中在基板的该区域上形成一个或几个诊断装置还包括形成对准标尺。
5.一种制造光电电池的方法,其包括:
在基板表面之上沉积第一导电层;
在第一导电层之上形成一个或几个光吸收层;
从该一个或几个光吸收层去除材料以便形成一个或几个第一隔离凹槽;
在该一个或几个光吸收层和该一个或几个第一隔离凹槽之上沉积第二导电层;
去除该一个或几个光吸收层的一部分和该第二导电层的一部分,以便使该一个或几个光吸收层的第一区域与该一个或几个光吸收层的第二区域基本电隔离,并形成一个或几个第二隔离凹槽,该一个或几个第二隔离沟槽在第一区域内形成由该一个或几个第二隔离凹槽分隔的第三和第四区域;
测量第三区域中第二导电层上一个点与第四区域中第二导电层上的一个点之间的电阻;以及
调整用于在另一个基板的表面上形成一个或几个光吸收层或第二导电层的工艺参数的一个或几个。
6.如权利要求5所述的方法,还包括从第一区域去除材料,以便将第三区域和第四区域与第一区域内包含的第五区域基本电隔离。
7.如权利要求5所述的方法,还包括:
将基板划分成第一和第二片段,其中使第一区域基本位于第一片段内;以及
从第二片段的至少一部分形成光电电池。
8.如权利要求5所述的方法,还包括:
在沉积导电层之后从第一区域去除材料,以便将第五区域与第三和第四区域分隔开;以及
测量第五区域中导电层上第一点与第五区域中导电层上第二点之间的电阻;以及
基于第五区域中所测量的电阻,调整用于在另一个基板的表面上形成该一个或几个光吸收层的工艺参数的一个或几个或用于形成导电层的工艺参数的一个或几个。
9.一种制造光电电池的方法,其包括:
在基板表面上形成一个或几个光吸收层;
在该一个或几个光吸收层之上沉积导电层;
在基板的第一区域内形成第一诊断装置,其中形成第一诊断装置包括
去除该一个或几个光吸收层的一部分和该导电层的一部分,以便在第一区域内形成第二区域和第三区域;以及
在基板的第一区域内形成第二诊断装置,其中形成第二诊断装置包括:
在沉积该导电层之前去除沉积的一个或几个光吸收层的一部分,以便形成第一凹槽;以及
去除该一个或几个光吸收层的一部分和该导电层的一部分,以便在第一区域内形成第四区域和第五区域。
10.如权利要求9所述的方法,还包括:
将基板划分为第一和第二片段,其中使第一区域基本位于第一片段内。
11.如权利要求9所述的方法,还包括:
一般同时地测量从第二区域中的一点到第三区域中的一点的电阻和第四区域中的一点到第五区域中的一点的电阻;以及
调整用于形成该一个或几个光吸收层的工艺参数的一个或几个或用于形成导电层的工艺参数的一个或几个。
12.如权利要求11所述的方法,还包括使用调整的工艺参数的一个或几个在第二基板上形成光电电池的一部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的