[发明专利]形成半导体器件结的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

提供具有栅极和在所述栅极的每一侧上的结的半导体衬底，所述结具有杂质；

在适合于实施第一热处理工艺时在所述结上形成钝化层的环境中实施所述第一热处理工艺；和

在所述钝化层上形成金属沉积前介电层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述环境中使用快速热处理(RTP)实施所述第一热处理工艺，所述环境包括氮，其中所述钝化层配置为防止所述杂质从所述结扩散出来。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一热处理可操作为活化所述杂质，所述第一热处理包括在第一环境中实施的加热步骤和在第二环境中实施的冷却步骤。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述加热步骤包括以50～150摄氏度/秒的增量升高所述腔室内部的温度同时供给N₂气体到所述腔室中。

5.根据权利要求4所述的方法，其中以1～40slpm的流量供给所述N₂气体。

6.根据权利要求3所述的方法，其中所述加热步骤包括升高所述腔室内部的温度最高至200～500摄氏度同时供给N₂气体到所述腔室中。

7.根据权利要求6所述的方法，其中以1～40slpm的流量供给所述N₂气体。

8.根据权利要求3所述的方法，其中所述冷却步骤包括以20～100摄氏度/秒冷却所述腔室内部的温度同时供给NH₃气体到所述腔室中。

9.根据权利要求8所述的方法，其中以1～10slpm的流量供给所述NH₃气体。

10.根据权利要求1所述的方法，其中通过将P-型杂质注入所述半导体衬底形成所述结，所述方法还包括：

在实施所述第一热处理之后，在另一环境中实施第二热处理工艺，所述第二热处理增加所述钝化层的厚度，

其中在通过所述第二热处理工艺已经增厚的所述钝化层上形成所述金属沉积前介电层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述杂质包括11B或49BF₂离子，其中所述结是超浅结。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述杂质包括11B离子，并且使用不超过5KeV的注入能量在所述结内提供所述杂质。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述杂质包括49BF₂离子，并且使用不超过20KeV的注入能量在所述结内提供所述杂质。

14.根据权利要求11所述的方法，其中利用注入步骤在所述结中提供所述杂质，其中所述注入工艺为所述结提供1×10¹⁵离子/cm²～3×10¹⁵离子/cm²的杂质浓度。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属沉积前介电层通过堆叠中温氧化物(MTO)层和硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)层形成。

16.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

将杂质注入半导体衬底以形成超浅掺杂结；

在包括氮的环境中对具有所述掺杂结的所述半导体衬底实施第一热处理工艺，所述第一热处理导致在所述结上形成钝化层；和

在所述钝化层上形成金属沉积前介电层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述钝化层包括氮化硅，所述金属沉积前介电层包括氧化硅。

18.根据权利要求17所述的方法，其中使用快速热处理(RTP)实施所述第一热处理工艺，所述第一热处理包括加热步骤和冷却步骤。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述加热步骤包括以50～150摄氏度/秒的步幅升高所述环境的温度同时供给N₂气体到所述环境中。

20.根据权利要求18所述的方法，其中所述加热步骤包括升高所述环境的温度最高至200～500摄氏度同时为所述环境供给N₂气体。