[发明专利]热电分离的发光二极管座体结构及其散热单元无效
申请号: | 200810171233.2 | 申请日: | 2008-10-27 |
公开(公告)号: | CN101404266A | 公开(公告)日: | 2009-04-08 |
发明(设计)人: | 张旭源 | 申请(专利权)人: | 钜亨电子材料元件有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/498 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿 宁;张华辉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热电 分离 发光二极管 结构 及其 散热 单元 | ||
1.一种热电分离的发光二极管座体结构,其特征在于其包括:
一散热单元,其具有一绝缘散热基材,该绝缘散热基材的一侧面上形成有至少一第一导电部及至少一第一导热结合部;以及
一座体单元,其包括:
一座体本体,具有一晶粒区及一底面;
一导热部,其是穿透该座体本体,该导热部的一第一表面与设置于该晶粒区的发光二极管导热结合,该导热部的一第二表面与该第一导热结合部导热结合;及
至少一导电体,形成于该座体本体上,其具有一第二导电部设置于该晶粒区处,又具有一第三导电部设置于该底面上,且该第三导电部是与该第一导电部电性连接。
2.根据权利要求1所述的热电分离的发光二极管座体结构,其特征在于其中所述的绝缘散热基材是由一金属基材结合一绝缘层。
3.根据权利要求2所述的热电分离的发光二极管座体结构,其特征在于其中所述的绝缘层是一氧化铝层、一氮化铝层或一类钻石碳层。
4.根据权利要求1所述的热电分离的发光二极管座体结构,其特征在于其中所述的绝缘散热基材是一氧化铝基材、一氮化铝基材、一碳化硅基材或一陶瓷基材。
5.根据权利要求1所述的热电分离的发光二极管座体结构,其特征在于其中所述的座体本体是一印刷电路板或一陶瓷基板。
6.根据权利要求1所述的热电分离的发光二极管座体结构,其特征在于其中所述的散热单元与该座体本体是以一锡/锑或一锡/铅的焊接材料为结合材料。
7.根据权利要求1所述的热电分离的发光二极管座体结构,其特征在于其中所述的导热部是一氮化铝、一碳化硅或一氮化硼。
8.根据权利要求1所述的热电分离的发光二极管座体结构,其特征在于其中所述的导热部进一步具有多数条导热体。
9.根据权利要求1所述的热电分离的发光二极管座体结构,其特征在于其还具有至少一第二导热结合部,其是与该导热部的该第二表面导热结合,并与该第一导热结合部导热结合。
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