[发明专利]半导体集成电路装置

权利要求书

1.一种半导体集成电路装置，具有：包含多个触发器和与上述 多个触发器连接的多个逻辑电路且具有第1工作模式和第2工作模式 的逻辑电路块；以及生成对上述逻辑电路块供给的时钟信号的时钟生 成电路，其特征在于：

上述触发器具有：

其输出节点连接到上述触发器的输出节点上的第1锁存电路；

其输入节点连接到上述第1锁存电路的输入节点或输出节点上的 第2锁存电路；以及

在上述触发器的输入节点与上述第1锁存电路的输入节点之间设 置的传输门，

在上述第1工作模式中，对上述第1锁存电路和上述逻辑电路供 给第1工作电压，对上述第2锁存电路供给第2工作电压，上述时钟 生成电路对上述传输门供给上述时钟信号，

在上述第2工作模式中，停止对上述第1锁存电路和上述逻辑电 路供给上述第1工作电压，对上述第2锁存电路供给上述第2工作电 压，上述时钟生成电路停止对上述传输门供给上述时钟信号，

在从上述第2工作模式向上述第1工作模式转移时，在上述触发 器的第1锁存电路的上述第1工作电压达到了规定的电平后且在对上 述传输门开始供给上述时钟信号之前，在规定的期间内使上述传输门 截止，

在上述规定的期间中将上述第2锁存电路的数据写回到上述第1 锁存电路中。

2.如权利要求1中所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

在上述第1锁存电路的节点与上述第2锁存电路的输入节点之间 具有供给上述第2工作电压的时钟反相器，

在上述第2工作模式中切断上述时钟反相器。

3.如权利要求1中所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

将在上述第1工作模式中对上述第2锁存电路的电流供给量控制 为大于在上述第2工作模式中对上述第2锁存电路的电流供给量。

4.如权利要求1中所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

上述第2工作模式中的上述第2工作电压比上述第1工作模式中 的上述第2工作电压低。

5.如权利要求1中所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

上述第2锁存电路具有电容元件。

6.如权利要求1中所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

上述第1锁存电路和上述逻辑电路包含第1MISFET，

上述第2锁存电路包含第2MISFET，

上述第2MISFET的阈值电压的绝对值比上述第1MISFET的阈 值电压大。

7.如权利要求1中所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

利用第1和第2电源线供给上述第1工作电压，

利用上述第1电源线和第3电源线供给上述第2工作电压，

上述第1电源线具有第1布线宽度，

上述第2电源线具有第2布线宽度，

上述第3电源线具有第3布线宽度，

上述第1布线宽度与上述第3布线宽度的差比上述第1布线宽度 与上述第2布线宽度的差大。

8.如权利要求7中所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

连接上述第1锁存电路的输入节点或输出节点与上述第2锁存电 路的输入节点的布线具有第4布线宽度，

上述第1布线宽度或上述第2布线宽度与上述第3布线宽度的差 比上述第4布线宽度与上述第3布线宽度的差大。