[发明专利]透明导电膜及其应用

权利要求书

1.一种透明导电膜，包含：一基材层，以及一堆叠于该基材层上的导电层；其特征在于：该导电层具有一包括有该导电层的一顶面的第一导电区，以及一与该第一导电区衔接且位于该基材层与第一导电区间的第二导电区；该第一导电区包括有金属及/或导电性金属化合物，该第二导电区则包括有一具有一第二导电高分子的第二导电高分子组成物，而该第一导电区的导电性优于第二导电区。

2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，该金属择自于导电度大于1S/cm者。

3.根据权利要求2所述的透明导电膜，其特征在于，该金属择自于导电度大于100S/cm者。

4.根据权利要求3所述的透明导电膜，其特征在于，该金属择自于金、银、铜、铁、镍、锌、铟、锡、锑、镁、钴、铅、铂、钛、钨、锗或铝。

5.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，该导电性金属化合物择自于导电度大于1S/cm者。

6.根据权利要求5所述的透明导电膜，其特征在于，该导电性金属化合物择自于导电度大于100S/cm者。

7.根据权利要求6所述的透明导电膜，其特征在于，该导电性金属化合物择自于氧化铟、氧化锡、氧化铟锡、氧化亚锡、氧化锑锡、氧化锑锌，或这些的一组合。

8.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，该第二导电高分子的导电度大于0.01S/cm。

9.根据权利要求8所述的透明导电膜，其特征在于，该第二导电高分子的导电度大于0.1S/cm。

10.根据权利要求9所述的透明导电膜，其特征在于，该第二导电高分子择自于聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚(间-伸苯)、聚对苯乙烯、聚乙烯基二氧噻吩、聚苯乙烯磺酸或这些的一组合。

11.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，该第一导电区是一金属本体或一导电性金属化合物本体。

12.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，该第一导电区中的金属及/或导电性金属化合物呈粒子状。

13.根据权利要求12所述的透明导电膜，其特征在于，该第一导电区还包括有一具有一第一导电高分子的第一导电高分子组成物。

14.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，该第一导电区还包括有突伸于该顶面的至少一突起部，其是通过该金属及/或导电性金属化合物而形成。

15.根据权利要求14所述的透明导电膜，其特征在于，所述突起部的突出高度在5μm以内。

16.根据权利要求12所述的透明导电膜，其特征在于，所述呈粒子状的金属及/或导电性金属化合物的粒子粒径介于1nm～1000nm间。

17.根据权利要求16所述的透明导电膜，其特征在于，所述呈粒子状的金属及/或导电性金属化合物的粒子粒径介于5nm～500nm间。

18.根据权利要求17所述的透明导电膜，其特征在于，所述呈粒子状的金属及/或导电性金属化合物的粒子粒径介于10nm～100nm间。

19.根据权利要求13所述的透明导电膜，其特征在于，所述呈粒子状的金属及/或导电性金属化合物与第一导电高分子的用量比值，是介于1/100～100间。

20.根据权利要求19所述的透明导电膜，其特征在于，所述呈粒子状的金属及/或导电性金属化合物与第一导电高分子的用量比值，是介于1/10～50间。

21.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，该第一导电区的厚度是介于10μm以下。

22.根据权利要求21所述的透明导电膜，其特征在于，该第一导电区的厚度是介于5μm以下。

23.根据权利要求22所述的透明导电膜，其特征在于，该第一导电区的厚度是介于1nm～4μm间。

24.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，该导电层的厚度是介于0.01μm～20μm间。

25.根据权利要求24所述的透明导电膜，其特征在于，该导电层的厚度是介于0.05μm～10μm间。