[发明专利]在浸没式平版印刷术中防止图案倒塌的等离子体表面处理

权利要求书

1.一种在光刻胶掩模干燥期间减少光刻胶掩模倒塌的方法，其包括：

在布置在基板之上的抗反射涂层上沉积密封氧化物层；

在该密封氧化物层上沉积粘附促进剂；

在该密封氧化物层之上沉积光刻胶层；

图案化曝光该光刻胶；

浸没式显影该光刻胶，以便产生光刻胶掩模；以及

干燥该光刻胶掩模，

其中，沉积密封氧化物层包括将含硅气体、二氧化碳、及惰性气体引入到处理室中，并化学气相沉积该密封氧化物层，并且其中，含硅气体与二氧化碳的流量比值在0.005∶1到0.007∶1之间。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，密封氧化物层处于压应力下。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，抗反射涂层包含从碳源、硅源、氧源以及惰性气体沉积的材料。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，密封氧化物包含二氧化硅。

5.一种在光刻胶掩模干燥期间减少光刻胶掩模倒塌的方法，其包括：

在布置在基板之上的抗反射涂层上沉积密封氧化物层；

在该密封氧化物层之上沉积光刻胶层；

图案化曝光该光刻胶；

浸没式显影该光刻胶，以便产生具有小于45nm的特征宽度的光刻胶掩模；以及

干燥该光刻胶掩模，

其中，沉积密封氧化物层包括将含硅气体、二氧化碳、及惰性气体引入到处理室中，并化学气相沉积该密封氧化物层，并且其中，含硅气体与二氧化碳的流量比值在0.005∶1到0.007∶1之间。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，密封氧化物层处于压应力下。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，抗反射涂层包含从碳源、硅源、氧源以及惰性气体沉积的材料。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，密封氧化物包含二氧化硅。

9.如权利要求5所述的方法，其特征在于，光刻胶对密封氧化物层的粘附力大于水的毛细作用力。

10.一种图案化抗反射涂层的方法，其包括：

在该抗反射涂层上沉积密封氧化物层；

将该密封氧化物层暴露于六甲基二硅氮烷，以便在该密封氧化物层上沉积粘附促进层；

在暴露于六甲基二硅氮烷的密封氧化物层上沉积光刻胶层；

曝光并显影该光刻胶，以便产生掩模；以及

使用该掩模图案化该密封氧化物层及该抗反射涂层，

其中，沉积密封氧化物层包括将含硅气体、二氧化碳、及惰性气体引入到处理室中，并化学气相沉积该密封氧化物层，并且其中，含硅气体与二氧化碳的流量比值在0.005∶1到0.007∶1之间。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，密封氧化物层处于压应力下。

12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，抗反射涂层包含从碳源、硅源、氧源以及惰性气体沉积的材料。

13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，密封氧化物包含二氧化硅。

14.如权利要求10所述的方法，其特征在于，光刻胶对密封氧化物层的粘附力大于水的毛细作用力。