[发明专利]用于制造半导体的设备

权利要求书

1.一种用于制造半导体装置的设备，所述设备包括：

腔室，其包含反应空间；

衬底安置单元，其经配置以在所述腔室内安置衬底；

第一加热单元，其经配置以用光学方式加热所述反应空间且安置在所述腔室下方；

第二加热单元，其经配置以通过电阻性加热来加热所述反应空间且安置在所述腔室上方；以及

等离子体产生单元，其经配置以在所述反应空间中产生等离子体。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一加热单元包括灯加热器，且所述第二加热单元包括热线。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述灯加热器包括经配置以供应电力的电源区段以及以电学方式连接所述电源区段和所述灯加热器的电源线，且进一步包括安置在所述电源线与所述等离子体产生单元之间的低频滤波器。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述腔室包括腔室主体、安置在所述腔室主体的下部处的透光底板和安置在所述腔室主体的上部处的顶板，且所述等离子体产生单元包括安置在所述第二加热单元与所述腔室的所述顶板之间的区域中的至少一个天线以及经配置以向所述天线提供高频电力的高频电力区段，其中所述顶板具有透光部分和不透光部分，且所述不透光部分形成在所述顶板的对应于所述天线的区域中。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述腔室包括其中具有内部空间或具有从外侧向内侧塌陷的凹入凹槽的腔室主体、安置在所述腔室主体的下部处的透光底板和安置在所述腔室主体的上部处的顶板，且所述等离子体产生单元包含安置在所述内部空间或所述凹入凹槽中的至少一个天线和经配置以向所述天线提供高频电力的高频电力区段。

6.一种使用半导体装置制造设备制造半导体装置的方法，所述半导体装置制造设备包含具有上面安置衬底的衬底安置单元的腔室、分别安置在所述腔室下方和上方的第一和第二加热单元以及安置在所述腔室的上部处的等离子体产生单元，所述方法包括：

使用所述第一和所述第二加热单元中的至少一者将所述腔室的反应空间加热到第一温度；

使用等离子体和清洁气体清洁所述衬底的表面；

使用所述第一和所述第二加热单元将所述腔室的所述反应空间加热到第二温度，其中所述第二温度高于所述第一温度；

使用沉积气体和蚀刻气体在所述衬底上沉积半导体膜；

停止所述沉积气体和所述蚀刻气体的供应且冷却所述腔室；以及

将所述衬底卸载到所述腔室的外部。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一温度是使用等离子体移除所述衬底的所述表面上的原生氧化物层的工艺温度，且在200℃到600℃的范围内，并且所述第二温度是沉积所述半导体膜的工艺温度，且在300℃到1000℃的范围内。

8.根据权利要求6所述的方法，其中清洁所述衬底的所述表面包括：

在将所述清洁气体注射到所述腔室的所述反应空间之后使用所述等离子体产生单元在所述反应空间中产生所述等离子体，或者在所述反应空间中产生所述等离子体之后将所述清洁气体注射到所述反应空间；以及

停止所述等离子体的所述产生和所述清洁气体的所述注射。

9.根据权利要求8所述的方法，其中通过将高频电力供应到天线来产生所述等离子体，所述天线以缠绕所述腔室的形式安置在所述腔室上方。

10.根据权利要求6所述的方法，其中当在所述衬底上沉积所述半导体膜时，交替地将用于所述半导体膜的所述沉积的所述沉积气体和用于所述半导体膜的所述蚀刻的所述蚀刻气体供应到所述腔室的所述反应空间，或者同时将所述沉积气体和所述蚀刻气体供应到所述反应空间。

11.根据权利要求10所述的方法，其中在供应所述沉积气体和所述蚀刻气体中的至少一者期间使用所述等离子体产生单元在所述反应空间中产生所述等离子体。

12.根据权利要求6所述的方法，其中通过改变所述第一加热单元的温度且同时固定所述第二加热单元的温度来改变所述腔室的所述反应空间的温度。