[发明专利]预测高压器件中的衬底电流的方法

权利要求书

1.一种预测高压器件中的衬底电流的方法，包括：

确定器件的漏极电压是否等于或高于指定的第一临界值；

如果所述漏极电压低于所述第一临界值，则将附加衬底电流设置为0；

如果所述漏极电压等于或高于所述第一临界值，则确定栅电压是否等于或高于指定的第二临界值；

如果所述栅电压低于所述第二临界值，则将所述附加衬底电流设置为0；

如果所述栅电压等于或高于所述第二临界值，则将所述附加衬底电流设置为一个值，其中所述值通过将所述第二临界值和所述栅电压之差的二次幂、所述漏极电压以及比例常数进行相乘来获得；以及然后

将所述附加衬底电流叠加到通过MOSFET器件建模获得的衬底电流上，

其中，将所述第一临界值设置为当通过MOSFET器件建模获取的所述衬底电流开始随所述栅电压变化时的所述漏极电压，

将所述第二临界值设置为当下降的衬底电流开始增加时的所述栅电压，以及

所述比例常数通过初步过程来获得，并在数据库中列出所述比例常数。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述MOSFET器件建模包括基于Berkeley短沟道绝缘栅场效应晶体管模型(BSIM3)的建模。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一临界值是8.5V。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二临界值小于所述第一临界值。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述附加衬底电流由表达式((a)×(V_d)×(V_g-V_gturn)²)来确定，其中，V_d是所述漏极电压，V_g是所述栅电压，V_gturn是当下降的衬底电流开始增加时的所述栅电压，而“a”是所述比例常数。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述比例常数是7e^-7。

7.一种预测高压器件中的衬底电流的方法，包括：

设置器件的第一临界值和第二临界值；

将所述第二临界值和栅电压之差的二次幂、漏极电压以及比例常数进行相乘来获得附加衬底电流；以及然后

将所述附加衬底电流叠加到通过MOSFET器件建模获得的衬底电流上，

其中，将所述第一临界值设置为当通过MOSFET器件建模获取的所述衬底电流开始随所述栅电压变化时的所述漏极电压，

将所述第二临界值设置为当下降的衬底电流开始增加时的所述栅电压，以及

所述比例常数通过初步过程来获得，并提供在数据库中。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括确定所述器件的所述漏极电压是否等于或高于所述第一临界值，如果所述漏极电压低于所述第一临界值，则将所述附加衬底电流设置为0。

9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

确定所述器件的所述漏极电压是否等于或高于所述第一临界值；

如果所述漏极电压等于或高于所述第一临界值，则确定所述栅电压是否等于或高于所述第二临界值；以及然后

如果所述栅电压低于所述第二临界值，则将所述附加衬底电流设置为0。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二临界值为9V。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二临界值低于所述第一临界值。

12.根据权利要求7所述的方法，其中，所述MOSFET器件建模包括基于Berkeley短沟道绝缘栅场效应晶体管模型(BSIM3)的建模。

13.根据权利要求7所述的方法，其中，所述附加衬底电流由表达式((a)×(V_d)×(V_g-V_gturn)²)来确定，其中，V_d是所述漏极电压，V_g是所述栅电压，V_gturn是当下降的衬底电流开始增加时的所述栅电压，而“a”是所述比例常数。

14.根据权利要求7所述的方法，其中，所述比例常数为7e^-7。