[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

基底，包括高压电路区、中压电路区以及低压电路区；

具有第一导电型的第一井区，位于该基底中；

高压元件，位于该高压电路区上，该高压元件包括具有第二导电型的沟 道的第一金属氧化物半导体晶体管；

中压元件，位于该中压电路区上该中压元件包括具有该第二导电型的沟 道的第二金属氧化物半导体晶体管；以及

低压元件，位于该低压电路区上，该低压元件包括具有该第二导电型的 沟道的第三金属氧化物半导体晶体管，

其中该中压元件的结构与该高压元件的结构相同，但与该低压元件的结 构不同，且该高压元件、该中压元件与该低压元件分别具有第一栅介电层、 第二栅介电层与第三栅介电层，其中该第二栅介电层的厚度小于该第一栅介 电层的厚度，

其中该高压元件与该中压元件分别包括：

栅极结构，位于该基底上；

具有该第二导电型的二个源极与漏极区，位于该栅极结构两侧的该基底 中；以及

至少一个隔离结构，分别位于该栅极结构与各该源极与漏极区之间的该 基底中。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二栅介电层的厚度与该第 三栅介电层的厚度相等。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该高、中压元件分别为场漂移 金属氧化物半导体元件，该低压元件为金属氧化物半导体晶体管。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该至少一个隔离结构包括一个 隔离结构，位于该栅极结构与该二个源极与漏极区其中之一之间的该基底 中。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该中压元件的该隔离结构的宽 度小于该高压元件的该隔离结构的宽度。

6.如权利要求4所述的半导体元件，其中该高、中压元件还分别包括具 有该第二导电型的二个第二井区，其彼此分隔，分别位于该高、中压元件的 各该源极与漏极区周围的该第一井区中。

7.如权利要求1所述的半导体元件，其中至少一个隔离结构包括二个隔 离结构，分别位于该栅极结构与各该源极与漏极区之间的该基底中。

8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该中压元件的这些隔离结构的 宽度小于该高压元件的这些隔离结构的宽度。

9.如权利要求7所述的半导体元件，其中该高、中压元件还分别包括具 有该第二导电型的二个第二井区，其彼此分隔，分别位于该高、中压元件的 各该源极与漏极区以及与其相邻的该隔离结构周围的该第一井区中。

10.如权利要求7所述的半导体元件，其中该高、中压元件还分别包括：

具有该第二导电型的二个阶区，其彼此分隔，分别位于该高、中压元件 的各该源极与漏极区周围的该第一井区中；以及

具有该第二导电型的二个漂移区，其彼此分隔，分别位于该高、中压元 件的该二个隔离结构下方，邻接该高、中压元件的各该阶区。

11.如权利要求1所述的半导体元件，其中当该第一导电型为P型，该第 二导电型为N型；当该第一导电型为N型，该第二导电型为P型。

12.如权利要求1所述的半导体元件，其中该高压元件的电压操作范围为 大于30伏特。

13.如权利要求1所述的半导体元件，其中该中压元件的电压操作范围为 10～30伏特。

14.如权利要求1所述的半导体元件，其中该低压元件的电压操作范围为 小于10伏特。