[发明专利]光学元件以及光学元件生产用的原盘的制造方法无效
申请号: | 200810173034.5 | 申请日: | 2008-10-29 |
公开(公告)号: | CN101424751A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
发明(设计)人: | 远藤惣铭;林部和弥;永井透 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | G02B1/11 | 分类号: | G02B1/11;G03F7/00;G11B7/135 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余 刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 元件 以及 生产 制造 方法 | ||
1.一种光学元件,包括:
多个结构体,排列在基底元件表面上,包括凸部或凹部,
其中,所述结构体的排列间距为380nm~680nm,以及
所述结构体的纵横比是0.62~1.09。
2.根据权利要求1所述的光学元件,
其中,所述的各个结构体被排列为在所述基底元件表面上构成多个弧形轨迹,以及
构成准六边形格状图样。
3.根据权利要求2所述的光学元件,
其中,所述的各个结构体为椭圆锥形或椭圆截锥形,其中,其长轴的方向是所述弧形轨迹的圆周方向。
4.根据权利要求3所述的光学元件,
其中,关于所述椭圆锥形或所述椭圆截锥形,顶部的倾斜度平缓,并且所述倾斜度从中部向底部逐渐变剧烈。
5.根据权利要求2所述的光学元件,
其中,在同一轨迹中的所述结构体的排列间距大于在相邻两个轨迹之间的所述结构体的排列间距。
6.根据权利要求2所述的光学元件,
其中,所述结构体在所述弧形轨迹的圆周方向上的高度或深度小于所述结构体在所述弧形轨迹的半径方向上的高度或深度。
7.根据权利要求1所述的光学元件,
其中,所述结构体的排列间距为400nm~650nm,以及
所述结构体的纵横比是0.65~1.03。
8.一种光学元件生产用的原盘的制造方法,在所述光学元件中,在基板表面上排列包括凸部或凹部的多个结构体,所述方法包括以下步骤:
制备在表面上具有抗蚀层的基板;
通过在旋转所述基板并且沿所述基板的旋转半径的方向相对移动激光的同时向所述抗蚀层间歇性地施加激光来形成潜像;
通过显影所述抗蚀层,在所述基板的表面上形成抗蚀图样;以及
通过在将所述抗蚀图样用作掩模的情况下进行蚀刻处理,在所述基板的表面上形成凹和凸结构体,
其中,在形成潜像中,以使所述结构体的排列间距为380nm~680nm的方式形成所述潜像,以及
在形成凹和凸结构体中,以使所述结构体的纵横比为0.62~1.09的方式进行所述蚀刻处理。
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