[发明专利]外延膜形成装置及其用的基座、外延晶片及其制造方法

权利要求书

1.一种外延膜形成装置用的基座，被设置在外延膜形成装置的 成膜室内，其特征在于，

设置有收容半导体晶片的俯视近似为圆形的凹部，在前述凹部中 设置有支承前述半导体晶片的俯视近似为圆形的凸部，前述凸部的直 径比前述凹部的直径小，且前述凸部的俯视直径为当在前述凹部上载 置前述半导体晶片时，气相生长反应用的反应气体能够在前述凸部与 前述半导体晶片的交界整体流通的大小、并且为前述半导体晶片的直 径的25％以上且85％以下，前述凸部的上表面的表面粗糙度被设定为 Ra0.1μm～15μm。

2.根据权利要求1所述的外延膜形成装置用的基座，其特征在 于，

前述凹部的直径为能够收容150mm以下的直径的半导体晶片的 大小，前述凸部的直径为50mm～90mm的范围，前述凸部的高度为 0.1mm以上小于0.4mm。

3.一种外延膜形成装置，其特征在于，具备：

权利要求1或权利要求2所述的外延膜形成装置用的基座、可收 容前述基座的成膜室、和至少设置在前述半导体晶片的与基座侧相反 侧的加热机构。

4.一种外延晶片的制造方法，其特征在于，

包括：准备具有权利要求1或2所述的外延膜形成装置用的基座、 可收容前述基座的成膜室、和至少设置在前述半导体晶片的与基座侧 相反侧的加热机构的外延膜形成装置的工序；

将半导体晶片收容到前述基座的前述凹部的工序；

利用前述加热机构加热前述半导体晶片的工序；

与前述加热工序同时向前述成膜室供给反应气体的工序；和

与前述反应气体供给工序同时，使前述反应气体在前述基座的前 述凸部与前述半导体晶片之间流通的工序。