[发明专利]包括衬底和压力装置的功率半导体模块

权利要求书

1.一种功率半导体模块，包括至少一个带有至少一个半导体元件 (3a、3b)的衬底(1)、一个外壳(9)、一个压力装置(4)以及引向 外部的一些负荷接线元件(50、52、54)和辅助接线元件(6、60、62)， 其中衬底(1)具有一个绝缘材料体(10)，并且在其朝向功率半导体 模块内部的第一主表面上设置带有负荷电位和辅助电位的一些印制导 线(2a、2b)，其中衬底的朝向功率半导体模块内部的主表面在所设置 的印制导线(2a、2b)的区域中在至少两个不被功率半导体元件所覆 盖的区域上具有至少两个凹坑(7a、7b、7c、7d)，并且压力装置(4) 在其朝向衬底的侧面在至少两个位置上具有配设于凹坑的、并且形锁 合和/或力锁合地设置在该凹坑中的止动凸鼻(8a、8b、8c、8d)。

2.如权利要求1所述的功率半导体模块，其中，压力装置具有一 个弹性的缓冲垫元件(44)，该缓冲垫元件设置在一个导入压力的压力 元件(40)和一个桥元件(42)之间。

3.如权利要求2所述的功率半导体模块，其中，桥元件(42)构 成为一个塑料体，它具有一个朝向缓冲垫元件(44)的平面的分体， 许多压力指销(420、422、424)从其出发向着衬底表面的方向地设置。

4.如权利要求1所述的功率半导体模块，其中，止动凸鼻是截顶 圆锥形或者拱顶形或者圆柱形或者十字形或者平台形地构造的，并且 配设于止动凸鼻的凹坑(8a、8b、8c)相应地成型以容纳该止动凸鼻。

5.如权利要求2所述的功率半导体模块，其中，负荷接线元件(50、 52、54)按区段地垂直于衬底表面通过桥元件(42)的通道式凹槽地 设置，并且在朝向衬底(1)的侧面上具有用于与设置在衬底上的印制 导线(2a、2b)电触点接通的接触装置(500、520、540)。

6.如权利要求2所述的功率半导体模块，其中，外壳(9)在侧 面框架式包围桥元件(42)以及所述至少一个衬底(1)。

7.如权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述导入压力的 压力元件(40)构成功率半导体模块的上部的封闭件。

8.如权利要求1所述的功率半导体模块，其中，凹坑(7a、b、c、 d)的最小深度为在衬底(1)上设置的印制导线(2a、2b)的厚度的 20％并且其最大深度为衬底(1)的厚度的100％。

9.如权利要求1所述的功率半导体模块，其中，配设于凹坑的止 动凸鼻(8a、b、c、d)的最小高度为在衬底(1)上设置的印制导线 (2a、2b)的厚度的20％并且其最大高度为衬底(1)的厚度的100％。

10.如权利要求1所述的功率半导体模块，其中，至少一个负荷 接线元件(50、52、54)本身构成压力装置(4)的一部分。