[发明专利]基板的表面处理方法以及等离子体处理装置有效
| 申请号： | 200810173371.4 | 申请日： | 2008-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101439342A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 山崎正;河西充 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | B08B7/00 | 分类号： | B08B7/00;C03C17/00;G02F1/13 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 处理 方法 以及 等离子体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种基板的表面处理方法，其特征在于，其具有表面处理工序，所述表面处理工序在大气环境下，通过向基板表面供给使用氮气和氧气而生成的第一等离子体，对所述基板表面进行表面处理，
在所述表面处理工序中，所述氧气占所述氮气和所述氧气的合计供给量的容量比率小于在大气中氧所占的容量比率。
2.一种基板的表面处理方法，其特征在于，其具有表面处理工序，所述表面处理工序在大气环境下，通过向基板表面供给使用氮气而生成的第二等离子体和氧气，对所述基板表面进行表面处理，
在所述表面处理工序中，所述氧气占所述氮气和所述氧气的合计供给量的容量比率小于在大气中氧所占的容量比率。
3.如权利要求1或2所述的基板的表面处理方法，其特征在于，
供给所述第一等离子体或所述第二等离子体的等离子体枪与所述基板表面的距离越长，越减小所述合计供给量中所述氧气所占的容量比率。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基板的表面处理方法，其特征在于，
所述氧气供给量占所述合计供给量的容量比率处于0.01容量％～1容量％的范围。
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