[发明专利]显示设备、显示设备驱动方法和电子仪器无效

专利信息
申请号: 200810173473.6 申请日: 2008-11-14
公开(公告)号: CN101436383A 公开(公告)日: 2009-05-20
发明(设计)人: 三并彻雄 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: G09G3/30 分类号: G09G3/30;G09G3/20;H01L27/32
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 郭定辉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 显示 设备 驱动 方法 电子仪器
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本发明包含于2007年11月14日向日本专利局提交的日本专利申请JP2007-295383的主题,将其全部内容通过引用的方式合并在此。

技术领域

总的来说,本发明涉及显示设备、显示设备驱动方法和电子仪器。特别地,本发明涉及具有平板型的显示设备,所述平板具有二维排列以形成矩阵的像素来作为每一个均包括电光装置的像素,并且涉及用于驱动显示设备的方法以及采用所述显示设备的电子仪器。

背景技术

近些年来,在用于显示图像的显示设备的领域中,具有平板型的显示设备已经快速地流行起来,其中所述平板具有二维排列以形成矩阵的像素来作为每一个均包括发光装置的像素。在下面的描述中,也将像素称为像素电路。平板显示设备的每一个像素电路中采用的发光装置作为所谓的电流驱动型发光装置,在该电流驱动型发光装置中,发光装置发射的光线的亮度根据流过装置的电流的量值变化。采用所谓的电流驱动型发光装置的平板显示设备的示例是有机EL(电致发光)显示设备。有机EL显示设备采用有机EL装置,所述有机EL装置的每一个均利用当将电场施加到有机EL装置的有机薄膜上时产生光线的现象。

有机EL显示设备具有以下特性。由于即使由不超过10V的低施加电压驱动有机EL装置,该装置也能够工作,因此该装置具有低功耗。另外,由于有机EL装置是通过自身来产生光的装置,因此与根据用以控制光源(对于每个像素电路中所采用的液晶来说,其称为背光)所产生的光的亮度的操作来显示图像的液晶显示设备相比,由光线产生的图像展示了高度可辨识性。另外,由于有机EL显示设备不要求诸如背光之类的照明元件(illuminationmember),因此可以容易地将所述设备制作得轻薄。此外,由于有机EL装置具有大约几微秒的很短的响应时间,因此在显示运动图像的时候不会产生残余图像。

与液晶显示设备非常类似,有机EL显示设备可以采用无源或有源矩阵方法作为其驱动方法。然而,即使采用无源矩阵驱动方法的显示设备具有简单的结构,随着扫描线的数量(即,像素电路的数量)增大,电光装置的发光时间段也会减小。因此,有机EL显示设备出现了难以实现大尺寸和高清晰度模型的问题。

由于上述原因,近些年中大量地开发采用有源矩阵方法的显示设备。根据有源矩阵方法,在相同的像素电路中提供了用于控制流过电光装置的电流的有源装置来作为电光装置。。有源装置的示例是绝缘栅型(insulated-gatetype)场效应晶体管。绝缘栅型场效应晶体管一般是TFT(薄膜晶体管)。在采用有源矩阵方法的显示设备中,每一个电光装置均能够在一帧时间段从始至终地保持发光状态。因此采用有源矩阵方法易于实现大尺寸和高清晰度的显示设备。

顺便提及,由有机EL装置展示的I-V特性,作为表示施加到装置的电压和作为施加到其的电压的结果、流向装置的电流之间的关系的特性,通常随着时间的流逝而劣化,这是公知的。将随着时间的流逝的劣化称为时间退化(time degradation)。在采用N沟道型TFT作为使电流流向包括在像素电路中的有机EL装置的装置驱动晶体管的像素电路中,TFT的源极电极连接到有机EL装置。因此,由于由有机EL装置展示的I-V特性的时间退化,施加在装置驱动晶体管的栅极和源极电极之间的电压Vgs变化,结果,由有机EL装置发射的光线的亮度也变化。

如下更加具体地说明以上描述的内容。在装置驱动晶体管的源极电极上出现的电势(electric potential)由装置驱动晶体管和有机EL装置的工作点(operating point)确定。由于时间退化,装置驱动晶体管和有机EL装置的工作点不期望地变化。因此,即使施加到装置驱动晶体管的栅极电极的电压保持不变,在装置驱动晶体管的源极电极上出现的电势也变化。也就是说,施加在装置驱动晶体管的栅极和源极电极之间的电压Vgs变化。因此,流过装置驱动晶体管的电流变化。结果,流过有机EL装置的电流也变化,使得有机EL装置发射的光线亮度也变化。

另外,在采用多晶硅(poly silicon)TFT作为装置驱动晶体管的像素电路中,除了有机EL装置的时间退化之外,由于时间退化,装置驱动晶体管的阈值电压Vth和形成包括在装置驱动晶体管中的装置驱动晶体管的沟道的半导体薄膜的迁移率μ也变化。在下面的描述中,将包括在装置驱动晶体管中的半导体薄膜的迁移率μ简单地称为装置驱动晶体管的迁移率μ。另外,由于在制造过程中的变化,阈值电压Vth和迁移率μ在像素之间也是变化的。也就是说,在各个像素特性之中存在晶体管变化。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社,未经索尼株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810173473.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top