[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种制造图像传感器的方法，包括：

在半导体衬底上方同时形成第一栅极和第二栅极；

在所述半导体衬底中形成包括第一杂质区和第二杂质区的光电二极管；

同时形成第三杂质区和第四杂质区，所述第三杂质区形成在所述半导体衬底中并与所述光电二极管隔开，而所述第四杂质区形成在所述半导体衬底中并与所述第三杂质区隔开；

在包括所述第一栅极和所述第二栅极以及所述第三杂质区和所述第四杂质区的所述半导体衬底上方顺序形成第一氧化膜和第一氮化膜；

在部分所述第一氧化膜上方形成第一氮化膜图样，其中所述部分所述第一氧化膜形成于所述第四杂质区、所述第二栅极的第一侧壁和所述第二栅极的最上表面的第一部分上方，其中，所述第一侧壁位于所述第四杂质区上方；

在所述第一氧化膜和所述第一氮化膜图样上方形成第二氧化膜；以及然后

同时形成第一氧化膜图样、第二氧化膜图样和隔离体，其中，所述第一氧化膜图样和所述第二氧化膜图样形成在所述光电二极管、所述第一栅极、所述第三杂质区、所述第二栅极的第二侧壁和所述第二栅极的所述最上表面的第二部分上方，而所述隔离体形成在所述第四杂质区上方和所述第二栅极的所述第一侧壁上，

其中，所述隔离体包括第三氧化膜图样、第二氮化膜图样和第四氧化膜图样。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第一氮化膜图样包括：

在部分所述第一氮化膜上方形成光刻胶图样，其中所述部分所述第一氮化膜形成于所述第四杂质区、所述第二栅极的所述第一侧壁和所述第二栅极的所述最上表面的所述第一部分上方；以及然后

使用所述光刻胶图样作为掩膜实施刻蚀工艺以去除在所述光电二极管、所述第一栅极、所述第三杂质区、所述第二栅极的第二侧壁和所述第二栅极的所述最上表面的第二部分上方形成的所述第一氮化膜部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述刻蚀工艺包括干法刻蚀工艺。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述刻蚀工艺包括湿法刻蚀工艺。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，同时形成所述第一氧化膜

图样、所述第二氧化膜图样和所述隔离体包括：

在所述光电二极管、所述第一栅极、所述第三杂质区、所述第二栅极的所述第二侧壁和所述第二栅极的所述最上表面的所述第二部分上方形成光刻胶图样；以及然后使用所述光刻胶图样作为掩膜实施刻蚀工艺。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述刻蚀工艺暴露所述第二栅极的所述最上表面的所述第一部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二杂质区形成在所述第一杂质区上方且与所述半导体衬底的最上表面共面。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三杂质区包括浮置扩散区。