[发明专利]有机电致发光设备及其制造方法

权利要求书

1、一种有机电致发光设备，该有机电致发光设备包括：

基板；

位于所述基板上的半导体层，所述半导体层包括源区、沟道区和漏区；

位于包括所述半导体层的所述基板上的栅绝缘膜，所述栅绝缘膜包括分别设置在所述源区和漏区上的第一接触孔；

位于所述栅绝缘膜的所述沟道区上方的部分上的栅极；

位于所述栅绝缘膜的包括所述栅极在内的整个上表面上的层间绝缘膜，所述层间绝缘膜包括分别设置在所述源区和漏区上的第二接触孔；

源极和漏极，所述源极和所述漏极位于所述层间绝缘膜上，使所述源极和所述漏极通过所述第一接触孔和所述第二接触孔分别电连接到所述源区和所述漏区；

位于所得到的包括所述源极和所述漏极的结构的整个上表面上的平整膜，所述平整膜包括设置在所述漏极上的第三接触孔；

发光器件的第一电极，所述发光器件的第一电极位于所述平整膜上，使所述第一电极覆盖所述半导体层，同时使所述第一电极通过所述第三接触孔电连接到所述漏极；

位于所述第一电极上的有机发光层；以及

所述发光器件的第二电极，其位于所述有机发光层上。

2、根据权利要求1所述的有机电致发光设备，其中所述第一电极由选自以下材料所构成的组中的一种或更多种材料制成以具有单层结构或多层结构：钛、钼、铬、铜、金、镍、银、钽、铝、铝-钕和钨。

3、根据权利要求1所述的有机电致发光设备，其中所述第一电极具有0.001％至1.0％的X射线透射率。

4、一种有机电致发光设备，该有机电致发光设备包括：

透明基板；

位于所述基板上的半导体层，所述半导体层包括源区、沟道区和漏区；

位于包括所述半导体层的所述基板上的栅绝缘膜，所述栅绝缘膜包括分别设置在所述源区和所述漏区上的第一接触孔；

位于所述栅绝缘膜的所述沟道区上方的部分上的栅极；

位于所述栅绝缘膜的包括所述栅极在内的整个上表面上的层间绝缘膜，所述层间绝缘膜包括分别设置在所述源区和所述漏区上的第二接触孔；

源极和漏极，所述源极和所述漏极位于所述层间绝缘膜上，使所述源极和所述漏极通过所述第一接触孔和所述第二接触孔分别电连接到所述源区和所述漏区；

位于所得到的包括所述源极和漏极的结构的整个上表面上的平整膜，所述平整膜包括设置在所述漏极上的第三接触孔；

发光器件的第一电极，所述发光器件的第一电极位于所述平整膜上，使所述第一电极通过所述第三接触孔电连接到所述漏极；

遮蔽层，所述遮蔽层位于所述第一电极的上面或下面，使所述遮蔽层覆盖所述半导体层；

位于所述第一电极上的有机发光层；以及

所述发光器件的第二电极，其位于所述有机发光层上。

5、根据权利要求4所述的有机电致发光设备，其中所述遮蔽层由选自以下材料所构成的组中的一种或更多种材料制成以具有单层结构或多层结构：钛、钼、铬、铜、金、镍、银、钽、铝、铝-钕和钨。

6、根据权利要求4所述的有机电致发光设备，其中所述遮蔽层具有0.001％至1.0％的X射线透射率。

7、根据权利要求4所述的有机电致发光设备，其中所述第一电极由氧化铟锡或氧化铟锌制成。

8、一种有机电致发光设备，该有机电致发光设备包括多个单元，所述多个单元中的每一个均包括设置有第一晶体管和发光器件的显示区域以及设置有用于驱动所述单元的第二晶体管的非显示区域，

其中所述发光器件包括第一电极、发光层和第二电极；并且

所述第一电极覆盖所述第一晶体管和所述第二晶体管。

9、根据权利要求8所述的有机电致发光设备，其中所述第一电极由选自以下材料所构成的组中的一种或更多种材料制成以具有单层结构或多层结构：钛、钼、铬、铜、金、镍、银、钽、铝、铝-钕和钨。

10、根据权利要求8所述的有机电致发光设备，其中所述第一电极具有0.001％至1.0％的X射线透射率。