[发明专利]磁头组件和磁记录装置

权利要求书

1.一种磁头组件，包括：

致动器臂；

连接到所述致动器臂的一端的悬架；以及

头滑块，其接合到所述悬架的顶端，并且包括含有磁致电阻元件的磁头；

所述磁致电阻元件包括：

至少三个金属磁性层；

至少两个设置在所述至少三个金属磁性层之间的连接层，每个连接层都具有绝缘层以及包括穿透该绝缘层的金属磁性材料的电流受限通路；和

提供垂直于所述金属磁性层和连接层所组成的堆叠薄膜的平面的电流的电极，

其中所述至少三个金属磁性层的最下面或最上面的金属磁性层具有被钉扎在某方向上的磁化，最下面的金属磁性层和最上面的金属磁性层通过所述至少两个连接层以及被夹在所述最下面金属磁性层与最上面金属磁性层之间的一个或多个中间金属磁性层磁性耦合，所述中间金属磁性层的磁化方向被扭曲，使得在零外部场时所述最下面的金属磁性层的磁化方向垂直于最上面的金属磁性层的磁化方向。

2、根据权利要求1所述的磁头组件，进一步包括在所述连接层与金属磁性层之间的至少一个界面处的厚度小于2nm的非磁性金属层。

3、根据权利要求1所述的磁头组件，其中所述连接层的厚度范围在0.5nm或更大至5nm或更小之间，所述绝缘层由Al、Si、Ti、Hf、Zr、Mo或Ta的氧化物或氮化物形成，所述电流受限通路由含有Co、Fe或Ni的金属磁性材料形成。

4、根据权利要求1所述的磁头组件，其中所述连接层的厚度范围在0.5nm或更大至5nm或更小之间，所述绝缘层由含有Fe的氧化物形成，所述电流受限通路由含有Co、Fe或Ni的金属磁性材料形成。

5、根据权利要求1所述的磁头组件，其中所述电流受限通路的尺寸范围在0.5nm或更大至10nm或更小之间，所述电流受限通路在所述连接层的平面区域中的面积比在1％至30％之间的范围内。

6、根据权利要求1所述的磁头组件，其中所述电流受限通路具有金属磁性材料和非磁性金属材料的堆叠结构。

7、根据权利要求6所述的磁头组件，其中所述电流受限通路包括金属磁性材料和非磁性金属材料中的至少一个的多个层。

8、根据权利要求1所述的磁头组件，其中非磁性金属层形成在所述连接层的两个表面与其上下金属磁性层之间，非磁性金属层的厚度小于2nm。

9、根据权利要求1所述的磁头组件，其中非磁性金属层形成在所述连接层的两个表面与其上下金属磁性层之间，所述连接层中的电流受限通路具有金属磁性材料和非磁性金属材料的堆叠结构，非磁性金属层的厚度小于2nm。

10.一种磁头组件，包括：

致动器臂；

连接到所述致动器臂的一端的悬架；以及

头滑块，其接合到所述悬架的顶端，并且包括含有磁致电阻元件的磁头；

所述磁致电阻元件包括：

至少三个金属磁性层；

至少两个设置在所述至少三个金属磁性层之间的非磁性金属层；以及

提供垂直于所述金属磁性层和所述非磁性金属层所组成的堆叠薄膜的平面的电流的电极，

其中所述至少三个金属磁性层的最下面或最上面的金属磁性层具有被钉扎在某方向上的磁化，最下面的金属磁性层和最上面的金属磁性层通过所述至少两个非磁性金属层以及被夹在所述最下面金属磁性层与最上面金属磁性层之间的一个或多个中间金属磁性层磁性耦合，所述中间金属磁性层的磁化方向被扭曲，使得在零外部场时所述最下面的金属磁性层的磁化方向垂直于最上面的金属磁性层的磁化方向，所述非磁性金属层的厚度小于2nm。