[发明专利]薄膜晶体管以及包括薄膜晶体管的显示装置有效
| 申请号： | 200810173931.6 | 申请日： | 2008-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101425544A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;神保安弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/36;H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 以及 包括 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括：
形成在栅电极上的栅极绝缘膜；
形成在所述栅极绝缘膜上的含有成为供体的杂质元素的微晶半 导体膜；
形成在所述含有成为供体的杂质元素的微晶半导体膜上的一对 缓冲层；
形成在所述一对缓冲层上的含有赋予一种导电型的杂质元素的 一对半导体膜；以及
形成在所述含有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜上 的布线，
其中，在所述微晶半导体膜中的所述成为供体的杂质元素的浓度 从所述栅极绝缘膜一侧至所述一对缓冲层一侧降低。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述成为供体的杂质 元素的浓度的峰值位于所述栅极绝缘膜和所述微晶半导体膜的界面 或其附近。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，在所述含有成为供体的杂 质元素的微晶半导体膜和所述一对缓冲层之间还包括不含有其浓度 高于二次离子质谱分析法(SIMS)的检测限度的所述成为供体的杂质 元素的微晶半导体膜。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中形成含有所述成为供 体的杂质元素的栅极绝缘膜而代替所述栅极绝缘膜。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中根据二次离子质谱分 析法(SIMS)得出的所述微晶半导体膜中的所述成为供体的杂质元素 的峰值浓度为6×1015atoms/cm3以上且3×1018atoms/cm3以下。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述成为供体的杂质 元素为磷、砷、或锑。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述一对缓冲层不含 有其浓度高于二次离子质谱分析法(SIMS)的检测限度的所述成为供 体的杂质元素。
8.一种薄膜晶体管，包括：
形成在栅电极上的栅极绝缘膜；
形成在所述栅极绝缘膜上的含有成为供体的杂质元素的微晶半 导体膜；
形成在所述含有成为供体的杂质元素的微晶半导体膜上的一对 缓冲层；
形成在所述一对缓冲层上的含有赋予一种导电型的杂质元素的 一对半导体膜；以及
形成在所述含有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜上 的布线，
其中，在所述微晶半导体膜中的所述成为供体的杂质元素的浓度 以5nm/dec至120nm/dec的倾斜度从所述栅极绝缘膜一侧至所述一对 缓冲层一侧降低。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中所述成为供体的杂质 元素的浓度的峰值位于所述栅极绝缘膜和所述微晶半导体膜的界面 或其附近。
10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，在所述含有成为供体的 杂质元素的微晶半导体膜和所述一对缓冲层之间还包括不含有其浓 度高于二次离子质谱分析法(SIMS)的检测限度的所述成为供体的杂 质元素的微晶半导体膜。
11.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中形成含有所述成为 供体的杂质元素的栅极绝缘膜而代替所述栅极绝缘膜。
12.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中根据二次离子质谱 分析法(SIMS)得出的所述微晶半导体膜中的所述成为供体的杂质元 素的峰值浓度为6×1015atoms/cm3以上且3×1018atoms/cm3以下。
13.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中所述成为供体的杂 质元素为磷、砷、或锑。
14.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中所述一对缓冲层不 含有其浓度高于二次离子质谱分析法(SIMS)的检测限度的所述成为 供体的杂质元素。
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