[发明专利]制造氧化镧复合物的方法

权利要求书

1.在基材上制造氧化镧复合物的方法，该方法包括：

基于每个镧原子，在气氛中将H₂O分子数、CO分子数和CO₂分子数分别设定为二分之一或更小、五分之一或更小和十分之一或更小；和

在基于每个镧原子将O₂分子数设定为20或更大的条件下，同时向所述基材供给镧原料、含有选自由铝、钛、锆和铪组成的组的至少一种的金属原料以及氧原料气体，从而在所述基材上制造含有所述选自由铝、钛、锆和铪组成的组的至少一种的所述氧化镧复合物。

2.如权利要求1所述的方法，其中通过使用努森池的电子束沉积法或分子束外延法将选自由镧、铝和钛组成的组的至少一种供给所述基材。

3.如权利要求1所述的方法，其中通过电子束沉积将锆和铪中的至少一种供给所述基材。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包括：在将所述镧原料供给所述基材之前，在900℃或更高的温度下加热所述镧原料。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包括：当铝原料被选为所述金属原料时，在将所述铝原料供给所述基材之前，在800至1200℃的温度范围内加热所述铝原料。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述氧原料气体含有氧自由基和臭氧中的至少一种。

7.如权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述基材上制造所述氧化镧复合物之前，在100℃或更高的温度下加热所述基材。

8.如权利要求2所述的方法，其中当铝原料被选为所述金属原料时，在将所述努森池开口的温度设定为高于所述努森池底部温度的条件下，通过使用所述努森池的分子束外延法将所述铝原料供给所述基材。

9.如权利要求2所述的方法，其中当铝原料被选为所述金属原料时，在使所述努森池的开口变窄的条件下，通过使用所述努森池的分子束外延法将所述铝原料供给所述基材。

10.如权利要求1所述的方法，进一步包括：使用由铬镍铁合金制成的固定器固定所述基材。

11.如权利要求10所述的方法，其中与所述基材接触的所述固定器的固定部分含有氧化铝和氧化硅中的至少一种。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述基材是半导体基材。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述半导体基材是硅基材。