[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810174254.X | 申请日： | 2005-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN101425556A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 李昔宪 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;王春伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种氮化物半导体发光器件，包括：
n型第一氮化物半导体层；
形成在所述第一氮化物半导体层上的n-AlInN覆盖层；
形成在所述n-AlInN覆盖层上的n-InGaN层；
形成在所述n-InGaN层上的有源层；
形成在有源层上的p-InGaN层；
形成在所述p-InGaN层上的p-AlInN覆盖层；
形成在所述p-AlInN覆盖层上的p型第二氮化物半导体层；和
形成在所述p型第二氮化物半导体层上的第二电极层，
其中所述第二电极层是铟含量连续改变的n-型超梯度结构。
2.如权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其中，所述n型第一氮 化物半导体层包括掺杂In的In掺杂GaN基的层和形成在所述In掺 杂GaN基的层上的第一电极层。
3.如权利要求2所述的氮化物半导体发光器件，其中，所述第一电极层 是同时掺杂硅和铟的GaN基的层。
4.如权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，还包括形成在n-InGaN 层和有源层之间的InxGa1-xN层。
5.如权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，还包括形成在所述n- 型第一氮化物半导体层和所述p-AlInN覆盖层之间的多个SiNx团簇 层。
6.如权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其中，所述第二电极层 用n-AlInN层形成。
7.如权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其中，所述第二电极层 掺杂有硅。
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