[发明专利]铜合金靶材、其制造方法、及其制成的薄膜及太阳能电池

权利要求书

1.一种铜合金靶材的制造方法，其包括：

形成一靶材初胚，其组成为Cu_xGa_1-x，其中上述x是以原子百分比表示， x＝0.71-0.78；以及

将靶材初胚在500-850℃的温度区间进行热机处理或热退火处理，以制 成组成为Cu_xGa_1-x的靶材，其中上述x是以原子百分比表示，x＝0.71-0.78， 而化合物相面积小于整体靶材面积的25％，所述热机处理或热退火处理为 步骤(I)、步骤(II)或其组合，其中，

步骤(I)是将靶材初胚在500-850℃区间进行热机处理；

步骤(II)是将靶材初胚在500-850℃下进行热退火0.5-5小时；

之后再冷却至常温，以得到组成为Cu_xGa_1-x的铜合金靶材。

2.如权利要求1所述的铜合金靶材的制造方法，其中，所述热机处理 为锻造、轧制或热压。

3.如权利要求1所述的铜合金靶材的制造方法，其中，所述热机处理 的下压比为0-90％。

4.如权利要求1所述的铜合金靶材的制造方法，其中，所述热机处理 的下压比为0-50％。

5.如权利要求1所述的铜合金靶材的制造方法，其中，所述将靶材初 胚热退火后的冷却方式为空冷、水冷或油冷。

6.如权利要求1至5中任一项所述的铜合金靶材的制造方法，其中， 所述形成靶材初胚的方式为铸造或粉末冶金工艺。

7.如权利要求1至5中任一项所述的铜合金靶材的制造方法，其中， 所述形成靶材初胚的方式为真空熔炼、连续铸造、离心铸造、热压烧结、 热均压烧结或热间塑性加工。

8.一种铜合金靶材，其是由如权利要求1至7中任一项所述的制造方 法所制造的靶材。

9.一种铜合金靶材，其组成为Cu_xGa_1-x，其中，所述x是以原子百分 比表示，x＝0.71-0.78，且该铜合金靶材中的化合物相的面积比例小于整体 靶材面积的25％。

10.如权利要求9所述的铜合金靶材，其中，该靶材中的晶粒尺寸小 于1mm。

11.一种薄膜，其是使用如权利要求8或9所述的铜合金靶材经溅镀 所形成的。

12.一种太阳能电池，其包含如权利要求11所述的薄膜。