[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 200810174337.9 | 申请日： | 2006-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101399308A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 海野恒弘;秋元克弥;新井优洋 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许 静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管，具有：将基片的表面作为光射出部分，在上述基片 的背面依次叠层至少第一导电性包层、活性层、第二导电性包层而成的发光 层部，在上述第二导电性包层的背面侧部形成的电流阻止部，在上述电流阻 止部及上述第二导电性包层的背面形成的电流扩展层，其特征在于，
还具有：在上述电流扩展层的背面，与上述电流阻止部相互相对地形成 的电流注入用电极；在形成了上述注入用电极以外的部分上形成的光反射层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，
上述第二导电性包层的薄膜电阻比上述第一导电性包层的薄膜电阻高。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，
上述光反射层是由Ag、Au、Al中的任意一种或含有这些中的至少一种 的合金构成的层，或者由它们的复合层构成。
4.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，
上述活性层为多量子阱结构。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，上述电流扩展层为 透明导电膜。
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