[发明专利]倒装芯片组装件及其制造方法

权利要求书

1.一种倒装芯片组装件，包括：

半导体工件；

多个互连构件，连接至半导体工件，每个互连构件包括：

第一不可回流焊金属层，与半导体工件电连接；

第二不可回流焊金属层；

至少一层可在第一预定回流焊温度下进行回流焊的可回流焊应力消除 层；

其中所述的可回流焊应力消除层位于第一和第二不可回流焊金属层之 间。

2.根据权利要求1所述的倒装芯片组装件，其特征在于，其中所述的半导 体工件上具有一个或多个焊盘，用于连接互连构件。

3.根据权利要求2所述的倒装芯片组装件，其特征在于，其中所述的互连 构件还包括有种子层沉积在所述的焊盘上，用于改进互连构件和半导体工件上 焊盘之间的粘着力。

4.根据权利要求1所述的倒装芯片组装件，其特征在于，其中所述的第一 不可回流焊层具有高于第一预定回流焊温度的第一熔化温度，其中所述的第二 不可回流焊层具有高于第一预定回流焊温度的第二熔化温度。

5.根据权利要求4所述的倒装芯片组装件，其特征在于，其中所述的第一 熔化温度与第二熔化温度相同。

6.根据权利要求1所述的倒装芯片组装件，其特征在于，其中所述的可回 流焊应力消除层的熔化温度比第一预定回流焊温度比低10～30度。

7.根据权利要求1所述的倒装芯片组装件，其特征在于，还包括支持基板， 其中所述的每个互连构件还包括与支持基板连接的可回流焊熔接层，在第二预 定回流焊温度下能够被回流焊。

8.根据权利要求7所述的倒装芯片组装件，其特征在于，其中所述的第一 预定回流焊温度与第二预定回流焊温度相同。

9.根据权利要求7所述的倒装芯片组装件，其特征在于，其中所述的第一 预定回流焊温度高于第二预定回流焊温度，从而使得可回流焊应力消除层不会 在第二预定回流焊温度下被回流焊。

10.根据权利要求1所述的倒装芯片组装件，其特征在于，其中所述的第 一和第二不可回流焊金属层，分别为铜、镍或锡构成。

11.根据权利要求1所述的倒装芯片组装件，其特征在于，其中所述的第 二不可回流焊金属层比第一不可回流焊金属层厚。

12.根据权利要求1所述的倒装芯片组装件，其特征在于，其中所述的可 回流焊应力消除层是由锡、铟、锡-铅合金，锡-铋合金、锡-铜合金、锡-银合 金或锡-银-铜合金中的一种构成。

13.一种制造倒装芯片组装件的方法，该方法包括：

提供一半导体工件，具有一个或多个焊盘；

沉积第一不可回流焊金属层，该不可回流焊金属层具有高于第一预定回流 焊温度的第一熔化温度；

沉积可回流焊应力消除层，该可回流焊应力消除层在第一预定回流焊温度 下能被回流焊；

沉积第二不可回流焊金属层，该不可回流焊金属层具有高于第一预定回流 焊温度的第二熔化温度，从而使得沉积的不可回流焊应力消除层位于第一和第 二不可回流焊金属层之间。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，其中所述的第一预定回流 焊温度比可回流焊应力消除层的熔化温度高10～30度。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，还包括：

沉积可回流焊熔接层，该可回流焊熔接层在第二预定回流焊温度下能被回 流焊。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，其中所述的第一预定回流 焊温度与第二预定回流焊温度相同。

17.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，其中所述的第一预定回流 焊温度高于第二预定回流焊温度，从而使得可回流焊应力消除层不会在第二预 定回流焊温度下被回流焊。

18.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，其中所述的沉积的可回流 焊应力消除层比沉积的可回流焊熔接层厚。