[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1、一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底上方形成绝缘夹层；然后

通过图案化所述绝缘夹层，形成通孔和沟槽；然后

在所述绝缘夹层上方形成金属层，并由所述金属层填充所述通孔和所述沟槽；然后

通过平坦化所述金属层直到暴露出所述绝缘夹层的上表面，形成金属线；然后

在形成所述金属线之后，通过进行热处理，在所述绝缘夹层中形成气孔。

2、如权利要求1所述的方法，在形成所述通孔和所述沟槽之后且在形成所述金属层之前，还包括以下步骤：在所述绝缘夹层的表面上方以及在所述通孔和所述沟槽的侧壁上方形成阻挡层。

3、如权利要求2所述的方法，其中所述金属层形成在所述阻挡层上方并与所述阻挡层接触。

4、如权利要求1所述的方法，在形成所述通孔和所述沟槽之后且在形成所述金属层之前，还包括以下步骤：在所述通孔和所述沟槽的侧壁上方形成阻挡层。

5、如权利要求4所述的方法，其中所述金属层形成在所述绝缘层的上表面上方并与所述绝缘层的上表面接触。

6、如权利要求1所述的方法，其中形成所述金属层的步骤包括：在所述绝缘夹层上方形成铜层，并且由所述铜层填充所述通孔和所述沟槽。

7、如权利要求6所述的方法，其中所述铜层是通过物理气相沉积、化学气相沉积和电化学镀覆之一而形成的。

8、如权利要求1所述的方法，在形成所述绝缘夹层之前，还包括以下步骤：

在所述半导体衬底上方形成下绝缘夹层；然后

在所述下绝缘层中形成下金属线，其中所述绝缘夹层形成在所述下金属线和所述下绝缘层上方，并且所述下金属层对应于所述金属线。

9、如权利要求8所述的方法，在形成所述下金属线之后且在形成所述绝缘夹层之前，还包括以下步骤：在所述下金属线和所述下绝缘层上方形成蚀刻停止层，其中所述绝缘夹层形成在所述蚀刻停止层上。

10、如权利要求9所述的方法，其中形成所述通孔和所述沟槽的步骤包括：

通过蚀刻所述绝缘夹层直到暴露出所述蚀刻停止层，形成所述通孔；然后

通过蚀刻所述绝缘夹层和所暴露出的蚀刻停止层，在所述通孔上方形成所述沟槽，从而暴露出所述下金属线。

11、如权利要求1所述的方法，其中所述热处理在大约300℃至450℃之间的温度下进行。

12、如权利要求1所述的方法，其中所述热处理使用氮气和氢气之一来进行。

13、如权利要求1所述的方法，其中所述绝缘夹层被形成为具有甲基功能团。

14、一种方法，包括以下步骤：

在半导体衬底上方形成绝缘夹层；然后

在所述绝缘夹层中形成镶嵌结构；然后

在所述绝缘夹层上方形成金属层，并由所述金属层填充所述镶嵌结构；然后

通过平坦化所述金属层直到暴露出所述绝缘夹层的上表面，形成金属线；然后

在形成所述金属线之后，通过进行热处理，在所述绝缘夹层中形成多个气孔。

15、如权利要求14所述的方法，其中所述镶嵌结构包括单镶嵌结构和双镶嵌结构之一。

16、如权利要求14所述的方法，在形成所述镶嵌结构之后且在形成所述金属层之前，还包括以下步骤：在所述绝缘夹层的表面上方且在所述镶嵌结构的侧壁上方形成阻挡层，其中所述金属层形成在所述阻挡层上方并与所述阻挡层接触。

17、如权利要求14所述的方法，在形成所述镶嵌结构之后且在形成所述金属层之前，还包括以下步骤：在所述镶嵌结构的侧壁上方形成阻挡层，其中所述金属层形成在所述绝缘层的上表面上方并与所述绝缘层的上表面接触。

18、如权利要求14所述的方法，其中所述热处理在大约300℃～450℃之间的温度下进行。

19、如权利要求14所述的方法，其中所述热处理使用氮气和氢气之一进行。

20、如权利要求12所述的方法，其中所述绝缘夹层被形成为具有甲基功能团。