[发明专利]晶片键合装置及方法无效
| 申请号： | 200810174423.X | 申请日： | 2008-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101431007A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 韩昌勋 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/18;H01L21/20;H01L21/68 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 装置 方法 | ||
1.一种晶片键合装置，其包括对准单元，该对准单元包括：
旋转辊，用以旋转至少两个晶片；
对准杆，用以使所述至少两个晶片对准；以及
槽对准传感器，用以感测所述至少两个晶片中的每一个晶片的至少两个槽。
2.根据权利要求1所述的晶片键合装置，其中该装置构造为用于键合两个晶片。
3.根据权利要求2所述的晶片键合装置，其中，该槽对准传感器感测所述两个晶片中的每一个晶片的至少两个槽，以测量晶片键合的对准精度。
4.根据权利要求1所述的晶片键合装置，其中每一个晶片的至少两个槽等距设置。
5.根据权利要求1所述的晶片键合装置，其中每一个晶片的至少两个槽非等距设置。
6.根据权利要求1所述的晶片键合装置，其中每一个晶片的至少两个槽中的至少一个槽设置为非对称的结构。
7.根据权利要求1所述的晶片键合装置，其中每一个晶片的至少两个槽中的每一个槽设置为非对称的结构。
8.根据权利要求1所述的晶片键合装置，还包括支撑构件，用于支撑所述至少两个晶片中的至少一个晶片。
9.根据权利要求1所述的晶片键合装置，还包括至少一个升降板，用以将所述至少两个晶片中的至少一个晶片提升到紧密接触该旋转辊。
10.根据权利要求1所述的晶片键合装置，其中所述至少两个晶片中的每一个晶片具有刚好两个槽。
11.根据权利要求1所述的晶片键合装置，其中所述至少两个晶片中的每一个晶片具有三个槽。
12.根据权利要求1所述的晶片键合装置，其中所述至少两个晶片中的每一个晶片具有四个槽。
13.一种晶片键合方法，包括：
感测至少两个晶片中的每一个晶片的至少两个槽；
使所述至少两个晶片对准；以及
键合所述至少两个晶片。
14.根据权利要求13所述的晶片键合方法，还包括在使所述至少两个晶片对准之后，测量晶片键合的对准精度。
15.根据权利要求13所述的晶片键合方法，其中所述至少两个晶片中的每一个晶片的至少两个槽设置为等距。
16.根据权利要求13所述的晶片键合方法，其中所述至少两个晶片中的每一个晶片的至少两个槽设置为非等距。
17.根据权利要求13所述的晶片键合方法，其中所述至少两个晶片中的每一个晶片的至少两个槽中的至少一个槽设置为非对称结构。
18.根据权利要求13所述的晶片键合方法，其中所述至少两个晶片中的每一个晶片具有刚好两个槽。
19.根据权利要求13所述的晶片键合方法，其中所述至少两个晶片中的每一个晶片具有三个槽。
20.根据权利要求13所述的晶片键合方法，其中所述至少两个晶片中的每一个晶片具有四个槽。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
