[发明专利]存储器中记忆胞的写入方法以及利用此方法的存储器装置

权利要求书

1.一种存储器中存储单元的写入方法，该存储器中欲写入的存储单元为第一存储单元，该第一存储单元具有第一源漏区并与第二存储单元共用第二源漏区，且该第二存储单元具有与该第二源漏区相对的第三源漏区，其特征在于该方法包括：

开启该第一存储单元及该第二存储单元的通道；以及

施加第一电压到该第一源漏区，施加第二电压到该第二源漏区且施加第三电压到该第三源漏区，其中该第二电压介于该第一电压和该第三电压之间，且该第一电压至该第三电压使得载流子从该第三源漏区流至该第一源漏区，并在该第一存储单元的该通道中引发将被注入该第一存储单元的一电荷储存层的热载流子。

2.根据权利要求1所述的存储器中存储单元的写入方法，其特征在于其中所述的第一存储单元的一控制栅与该第二存储单元的一控制栅呈连续状。

3.根据权利要求1所述的存储器中存储单元的写入方法，其特征在于其中所述的第一存储单元的一控制栅与该第二存储单元的一控制栅相互分离。

4.根据权利要求1所述的存储器中存储单元的写入方法，其特征在于其中所述的第一存储单元及该第二存储单元皆为N型存储单元，且该第一电压在正值方向上高于该第三电压。

5.根据权利要求4所述的存储器中存储单元的写入方法，其特征在于其中所述的第二电压高于一特定电压，该特定电压是使得从该第三源漏区至该第二源漏区的电子流等于从该第二源漏区至该第一源漏区的电子流的电压。

6.根据权利要求4所述的存储器中存储单元的写入方法，其特征在于其中所述的开启该第一存储单元及该第二存储单元的该通道包括施加0V或一负电压到该存储器的一衬底。

7.根据权利要求1所述的存储器中存储单元的写入方法，其特征在于其中所述的电荷储存层是浮置栅极或电荷俘获层。

8.根据权利要求7所述的存储器中存储单元的写入方法，其特征在于其中所述的电荷俘获层的材质包括氮化硅。

9.一种存储器阵列中存储单元的写入方法，其特征在于其包括：

开启欲写入的第一存储单元的通道及与该第一存储单元相邻的第二存储单元的通道，其中该第一存储单元具有第一源漏区并与该第二存储单元共用第二源漏区，且该第二存储单元更具有第三源漏区； 

经由第一选择晶体管，将第一电压施加到与该第一源漏区耦接的第一导线；

经由第二选择晶体管，将第二电压施加到与该第二源漏区耦接的第二导线；以及

经由第三选择晶体管，将第三电压施加到与该第三源漏区耦接的第三导线，

其中该第二电压介于该第一电压及该第三电压之间，且该第一电压至该第三电压使得载流子从该第三源漏区流至该第一源漏区，并在该第一存储单元的该通道中引发将被注入该第一存储单元的一电荷储存层的热载流子。

10.根据权利要求9所述的存储器阵列中存储单元的写入方法，其特征在于其中所述的各存储单元皆为N型存储单元，且该第一电压在正值方向上高于该第三电压。

11.根据权利要求10所述的存储器阵列中存储单元的写入方法，其特征在于其中所述的第二电压高于一特定电压，该特定电压是使得从该第三源漏区至该第二源漏区的电子流等于从该第二源漏区至该第一源漏区的电子流的电压。

12.根据权利要求10所述的存储器阵列中存储单元的写入方法，其特征在于其中所述的开启该第一存储单元和该第二存储单元的通道包括施加0V或一负电压到该存储器阵列的一衬底。

13.根据权利要求9所述的存储器阵列中存储单元的写入方法，其特征在于其中所述的电荷储存层是浮置栅极或电荷俘获层。

14.根据权利要求13所述的存储器阵列中存储单元的写入方法，其特征在于其中所述的电荷俘获层的材质包括氮化硅。

15.根据权利要求13所述的存储器阵列中存储单元的写入方法，其特征在于其中所述的电荷储存层为电荷俘获层，且该写入方法写入该第一存储单元的邻近于该第一源漏区的第一位。