[发明专利]光致抗蚀剂剥离用组合物和剥离方法以及显示装置的制法

权利要求书

1.一种光致抗蚀剂剥离用组合物，该组合物含有80重量％～98.5重 量％砜系化合物、1重量％～10重量％内酯系化合物以及0.1重量％～5重 量％烷基磺酸，

所述砜系化合物包括选自四氢噻吩-1，1-二氧化物、2-甲基四氢噻吩 -1，1-二氧化物、四氢噻吩-3-羟基-1，1-二氧化物、四氢噻吩亚砜之中的至 少一种化合物；所述内酯系化合物包括选自γ-丁内酯、α-亚甲基-γ-丁内 酯、γ-己内酯之中的至少一种化合物；所述烷基磺酸包括选自甲基磺酸、 乙基磺酸、丙基磺酸以及丁基磺酸之中的至少一种化合物。

2.如权利要求1所述的光致抗蚀剂剥离用组合物，其中，所述砜系 化合物为四氢噻吩-1，1-二氧化物，所述内酯系化合物为γ-丁内酯。

3.一种光致抗蚀剂剥离方法，该方法包括如下步骤：

在基板上形成2个以上的光致抗蚀剂图案的步骤；

在所述光致抗蚀剂图案之上施加含有80重量％～98.5重量％砜系化 合物、1重量％～10重量％内酯系化合物以及0.1重量％～5重量％烷基磺 酸的光致抗蚀剂剥离用组合物，从而将所述光致抗蚀剂图案剥离的步骤；

将施加到所述光致抗蚀剂图案上的所述光致抗蚀剂剥离用组合物回 收的步骤；以及

在臭氧反应器内将臭氧气体加入到所述回收的光致抗蚀剂剥离用组 合物中，从而将所述光致抗蚀剂剥离用组合物中所含有的光致抗蚀剂杂 质分解的步骤；

其中，所述砜系化合物包括选自四氢噻吩-1，1-二氧化物、2-甲基四 氢噻吩-1，1-二氧化物、四氢噻吩-3-羟基-1，1-二氧化物、四氢噻吩亚砜之 中的至少一种化合物；所述内酯系化合物包括选自γ-丁内酯、α-亚甲基-γ- 丁内酯、γ-己内酯之中的至少一种化合物；所述烷基磺酸包括选自甲基磺 酸、乙基磺酸、丙基磺酸和丁基磺酸之中的至少一种化合物。

4.如权利要求3所述的光致抗蚀剂剥离方法，其中，所述光致抗蚀 剂剥离方法在将所述光致抗蚀剂杂质分解的步骤之后还包括如下步骤： 对所述光致抗蚀剂剥离用组合物进行脱气，从而将所述光致抗蚀剂剥离 用组合物中所含有的臭氧除去。

5.一种显示装置的制造方法，所述制造方法包括：

形成包含栅极的栅极线的步骤、

在所述栅极线之上形成栅极绝缘膜的步骤、

在所述栅极绝缘膜之上形成半导体层的步骤、

在所述半导体层之上形成与所述栅极线交叉且包含源极的数据线以 及与所述源极对置的漏极的步骤、

形成与所述漏极连接的像素电极的步骤，其中，

在形成所述栅极线的步骤、形成所述半导体层的步骤、形成所述数 据线和所述漏极的步骤、形成所述像素电极的步骤之中的至少一个步骤 包括如下步骤：

形成光致抗蚀剂图案的步骤；

在所述光致抗蚀剂图案之上施加含有80重量％～98.5重量％砜系化 合物、1重量％～10重量％内酯系化合物以及0.1重量％～5重量％烷基磺 酸的光致抗蚀剂剥离用组合物，从而将所述光致抗蚀剂图案剥离的步骤；

将施加到所述光致抗蚀剂图案上的所述光致抗蚀剂剥离用组合物回 收的步骤；以及

向所述回收的光致抗蚀剂剥离用组合物中加入臭氧气体，从而将所 述光致抗蚀剂剥离用组合物中所含有的光致抗蚀剂杂质分解的步骤；

其中，所述砜系化合物包括选自四氢噻吩-1，1-二氧化物、2-甲基四 氢噻吩-1，1-二氧化物、四氢噻吩-3-羟基-1，1-二氧化物、四氢噻吩亚砜之 中的至少一种化合物；所述内酯系化合物包括选自γ-丁内酯、α-亚甲基-γ- 丁内酯、γ-己内酯之中的至少一种化合物；所述烷基磺酸包括选自甲基磺 酸、乙基磺酸、丙基磺酸以及丁基磺酸之中的至少一种化合物。

6.如权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，所述制造方法 在将所述光致抗蚀剂杂质分解的步骤之后还包括如下步骤：对所述光致 抗蚀剂剥离用组合物进行脱气，从而将所述光致抗蚀剂剥离用组合物中 所含有的臭氧除去。