[发明专利]用于湿化学处理半导体晶片的方法

权利要求书

1.用于湿化学处理半导体晶片的方法，其包括：a)使半导体晶片旋 转；b)将包括直径为100μm或以下且含有氢气的气泡的清洗液施加到旋转 半导体晶片上，以便在半导体晶片上形成液体膜；c)使旋转的半导体晶片 暴露于具有活性气体的气氛中；d)除去液体膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述气泡包括选自以下组中的气 体或者气体混合物：空气、氮气、氩气、氦气、二氧化碳、臭氧以及上述 气体混合物。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述半导体晶片以20-600rpm 的速度旋转。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述液体膜具有大于或等于 1μm并且小于或等于100μm的厚度。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述液体膜具有50-100μm的厚 度，并且所述半导体晶片的旋转速度是50-300rpm。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中根据b)和c)中半导体晶 片的湿化学处理进行了30-200s。

7.根据权利要求6所述的方法，其中对半导体晶片的湿化学处理进行 了30-60s。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述液体膜在d)中通过用 超纯水、含臭氧的超纯水、SC1溶液或者稀盐酸冲洗而除去。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述半导体晶片是硅晶片、 SOI晶片、GeOI晶片或者具有硅-锗层的硅晶片。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其中使旋转的半导体晶片暴露 于选自以下组中的活性气体的气氛中：臭氧、氨气、氟化氢、氯化氢、氢 气和二氧化碳或者上述气体与氧气或空气的混合物。

11.如权利要求10所述的方法，其涉及臭氧浓度为100-300g/m³(stp)(克 每标准立方米)的臭氧/氧气混合物或者臭氧/氧气/氮气混合物。

12.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述清洗液包括氟化氢、 氯化氢、或者氟化氢与氯化氢的组合。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述清洗液含有浓度为0.02-2％ 的氟化氢。

14.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述清洗液包括选自以下 组中的碱性成分：氨、氢氧化四甲基铵、有机胺、碱金属氢氧化物或者碱 金属碳酸盐，并且使旋转的半导体晶片暴露于臭氧气氛。

15.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述清洗液包括去离子水 和氢气气泡，并且使旋转的半导体晶片暴露于氟化氢气氛中。

16.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述清洗液包括稀氢氟酸、 由选自空气、氮气和氩气的惰性气体构成的气泡，并且所述旋转的半导体 晶片暴露于氢气气氛中。

17.根据权利要求1或2所述的方法，其中将选自离子或者非离子表 面活性剂、脂肪酸、脂肪醇和乙二醇的两性物质加入到所述清洗液中。