[发明专利]类钻碳电子装置及其制造方法

权利要求书

1.一种类钻碳电子装置，其包含：

导电类钻碳阳极；

邻接于该类钻碳阳极的非晶形电荷载子分隔层；以及

邻接于该电荷载子分隔层且相对于该类钻碳阳极的阴极。

2.如权利要求1所述的类钻碳电子装置，其中所述的导电类钻碳为具有30至90原子百分比的sp3键结碳含量、0至30原子百分比的氢含量以及10至70原子百分比的sp2键结碳含量的材料。

3.如权利要求2所述的类钻碳电子装置，其中该sp2键结碳的含量为足以给该导电类钻碳的材料提供大于0.7的可见光透射率。

4.如权利要求1所述的类钻碳电子装置，其中该导电类钻碳材料为导电非晶形钻石。

5.如权利要求1所述的类钻碳电子装置，其中该非晶形电荷载子分隔层为非晶形半导体层。

6.如权利要求5所述的类钻碳电子装置，其中该非晶形半导体层包括选自由硅、砷化镓、磷化铟镓、氮化铟镓、硒化铟铜、碲化镉及其复合或组成物所构成的群组中的非晶形材料。

7.如权利要求6所述的类钻碳电子装置，其中该非晶形电荷载子分隔层为非晶形硅。

8.如权利要求1所述的类钻碳电子装置，其中该非晶形电荷载子分隔层包括掺杂物。

9.如权利要求8所述的类钻碳电子装置，其中该掺杂物包括选自由磷、砷、铋、锑、硼、铝、镓、铟、铊及其上述掺杂物的组成物所构成的群组中的材料。

10.如权利要求1所述的类钻碳电子装置，其中该非晶形电荷载子分隔层为p-n或p-i-n接面。

11.如权利要求10所述的类钻碳电子装置，其中该类钻碳电子装置为太阳能电池。

12.如权利要求11所述的类钻碳电子装置，其中该非晶形电荷载子分隔层还包含多个p-n或p-i-n接面以形成多接面太阳能电池。

13.如权利要求1所述的类钻碳电子装置，其中该非晶形电荷载子分隔层包含具有成分变化的含碳和硅的材料。

14.如权利要求1所述的类钻碳电子装置，其中电荷载子分隔层实质上为平面化。

15.一种类钻碳电子装置的制造方法，其包含：

形成阴极于非晶形电荷载子分隔层上；以及

耦合导电类钻碳阳极于该非晶形电荷载子分隔层上且相对于该阴极。

16.如权利要求15所述的制造方法，其中该导电类钻碳阳极的耦合还包括形成该导电类钻碳阳极于该电荷载子分隔层上且相对于该阴极。

17.如权利要求16所述的制造方法，其中该导电类钻碳阳极和该阴极的形成是发生在低于750℃的温度下。

18.如权利要求17所述的制造方法，其中该阴极为导电类钻碳阴极。

19.如权利要求15所述的制造方法，其中还包含掺杂该非晶形电荷载子分隔层以形成p-n或p-i-n接面。

20.如权利要求15所述的制造方法，其中该阴极的形成包括气相沉积工艺。