[发明专利]一种涂层及其制造方法

权利要求书

1.涂层，其特征在于，所述涂层是硅基合金的氮氧化物SiMNO薄膜材料，其中M为一种或多种以硅基合金总重量计至多为20重量％的合金化元素，所述合金化元素为铝、锡、铟、钛、锆等金属的一种或多种，优选为SiAlNO、SiSnNO、SiTiNO金属-介质复合薄膜涂层材料。

2.根据权利要求1的涂层，所述涂层的厚度为30～100nm，优选50～80nm。

3.涂层，其特征在于，在真空镀膜技术下由硅基合金SiM单靶与反应气体反应沉积形成的介质薄膜构成，其中M为一种或多种以硅基合金总重量计至多为20重量％合金化元素，所述真空镀膜技术优选真空蒸发技术或磁控溅射技术，特别优选磁控溅射技术，所述反应气体包括含氮气体与氧气的混合气体，所述含氮气体为氮气和/或氨气，特别优选为氮气。

4.根据权利要求4的涂层，其特征在于，含氮气体的流量与氧气的流量比小于3.5。

5.根据权利要求3或4的涂层，其特征在于，所述合金化元素为铝、锡、铟、钛、锆等金属的一种或多种，优选为铝、锡、钛的一种或多种。

6.制备根据权利要求1～5任一项的涂层的方法，其中采用真空镀膜技术，以硅基合金SiM作为靶材，在注入反应气体的条件下，沉积减反层，其中M为一种或多种以硅基合金总重量计至多为20重量％的合金化元素，所述真空镀膜技术优选真空蒸发技术或磁控溅射技术，特别优选磁控溅射技术，所述反应气体包括含氮气体与氧气的混合气体，所述含氮气体为氮气和/或氨气，特别优选为氮气。

7.根据权利要求1～5任一项的涂层的用途，其用作为太阳选择性吸收涂层膜系或太阳能集热元件的减反层(1)。

8.根据权利要求1～5任一项的涂层的用途，其用作为低发射膜或控光膜。

9.太阳选择性吸收涂层膜系或太阳能集热元件，其特征在于，由沉积于基材(5)上的红外高反射金属层(4)、视需要的缓冲层(3)、吸收层(2)和作为减反层(1)的根据权利要求1～5任一项的涂层组成。

10.根据权利要求9的太阳选择性吸收涂层膜系或太阳能集热元件，其特征在于，基材(5)或红外高反射金属层(4)由铝、铜、银、金、镍、钼或它们的合金构成，优选铜或铝金属，特别优选含量大于99.85％的纯铝或铝合金，所述铝合金优选选自铝铜镁锰，尤其特别优选LY11或LY12。

11.根据权利要求10的太阳选择性吸收涂层膜系或太阳能集热元件，其特征在于，由所述基材(5)、视需要的缓冲层(3)、吸收层(2)和减反层(1)构成，所述基材(5)优选为铜或铝金属的条带。

12.根据权利要求9的太阳选择性吸收涂层膜系或太阳能集热元件，其特征在于，吸收层(2)是金属-介质复合材料薄膜，其厚度为80～150nm。

13.根据权利要求9～12任一项的太阳选择性吸收涂层膜系或太阳能集热元件，其特征在于，吸收层(2)中金属含量沿着远离基材的方向而减少。

14.根据权利要求13的太阳选择性吸收涂层膜系或太阳能集热元件，其特征在于，吸收层(2)为一层或多层Al-N薄膜或者FeCrM-N-O薄膜。

15.根据权利要求14的太阳选择性吸收涂层膜系或太阳能集热元件，其特征在于，该吸收层(2)由(a)靠近基材(5)的30～90nm的AlM-N薄膜作为第一吸收亚层和(b)远离基材(5)的20～60nm的AlM-N薄膜作为第二吸收亚层构成，(b)亚层中的金属沉积含量小于(a)亚层中的金属沉积含量。

16.根据权利要求14的太阳选择性吸收涂层膜系或太阳能集热元件，其特征在于，所述铁铬合金FeCrM中，铁占合金的60～87重量％，铬占合金的13～25重量％，M缺失或为一种或多种合金化元素，合金化元素优选选自镍、铝及钼中的一种或多种，所述铁铬合金更优选选自铁铬镍、铁铬镍钼、铁铬铝，尤其特别优选AISI 304(0Cr18Ni9)或AISI 316L(00Cr17Ni14Mo2)。

17.根据权利要求14或16的太阳选择性吸收涂层膜系或太阳能集热元件，其特征在于，该吸收层(2)由(a)靠近基材(5)的30～90nm的FeCrM-N-O薄膜作为第一吸收亚层和(b)远离基材(5)的20～60nm的FeCrM-N-O薄膜作为第二吸收亚层构成，(b)亚层中的金属沉积含量小于(a)亚层中的金属沉积含量。