[发明专利]电致发光显示装置和用于电致发光显示装置的热转移给体膜

说明书

本申请是申请日为2004年11月26日、国家申请号为200410103806.X、发 明名称为“电致发光显示装置和用于电致发光显示装置的热转移给体膜”的发 明专利申请的分案申请。

本申请要求韩国知识产权局的于2003年11月28日提交的韩国专利申请 No.2003-85819的权益，在此将其引入作为参考。

1.技术领域

本发明涉及一种有机电致发光(EL)显示装置和用于制备有机EL显示装置 的热转移给体膜。更尤其是，本发明涉及一种从有机发光部分有着高效率出射 光的EL显示装置。这种较高效率部分地是由直接位于堆积层(stack)上的光子晶 体层(photonic crystal layer)引起的，该堆积层形成在基底之上。此外，引发用于 EL显示装置的热转移给体膜的激光可用来在堆积层上形成光子晶体层。

2.背景技术

通过反射或照射穿过介于很多个阳极和阴极之间的有机薄膜材料(例如，发 光部分)的光，电致发光(EL)显示装置形成可见图像，阳极和阴极形成在两个平 行的玻璃基底的相对表面上。对每个阳极/阴极对(例如，像素)施加电压差可改 变有机发光层的物理性质。当施加离散量的电压差时，可产生不同颜色的阴影。 有机EL显示装置因其驱动电压低、轻便且薄，以及能提供宽视角和快速响应时 间而得到了广泛应用。

如上所述，有机EL显示装置的发光部分包括在彼此上顺序形成的阳极、 发光层和阴极。发光层可以包括发射层(EML)，在发射层中通过空穴和电子的 复合而形成的激子产生光。激子是绝缘体或半导体的电中性激发态，经常被认 为是电子和电子空穴(“空穴”)的结合状态。空穴是由于缺少电子而在晶体中 留下来的空闲位置。EML可进一步包括：位于阴极和发射层之间的可以更平 稳地向发射层传输空穴和电子，从而提高了发射效率的电子传输层(ETL)、位 于阳极和发射层之间的空穴传输层(HTL)、位于阳极和空穴传输层之间的空穴 注入层(HIL)和位于阴极和电子传输层之间的电子注入层(EIL)。示例性的常规 发光层可由酞菁铜(CuPc)、N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-联苯胺(NPB)或三-8- 羟基喹啉铝(Alq3)构成。

这样的发光部分的光效率(例如，光发射的效率)取决于内部效率和EL显示 装置的其它层的效率(外部效率)。层的内部效率依赖于构成有机发光部分的材料 的光电转换效率而变化。类似地，外部效率依赖于有机EL显示装置每层的折射 指数而变化。也称外部效率为光耦合效率。一个问题是，当从有机发光层发射 出的光的出射角大于其中一层的临界角时，外部效率将降低。当这种情况发生 时，在层的表面上发生反射。反射减弱了光，并致使光向外部发射。

表1直观地显示了由玻璃形成的透明基底和由氧化铟锡(ITO)形成的电极层 对每个蓝光(B)、红光(R)和绿光(G)的光耦合效率。光耦合效率由每层的折射指 数计算得出，N_in和N_out分别表示光进入和发射处的层的折射指数。

表1