[发明专利]线辅助磁写入装置的线和导线设计

说明书

技术领域

本发明涉及磁装置。更具体地，本发明涉及包括携带电流以产生辅助写入场的磁场的电流的导体的磁写入器。

背景技术

在增加磁存储装置的存储容量的努力中，随着磁记录存储密度不断进步，记录装置的磁性转换(即比特)尺寸和临界特征被压低至100nm以下。在某些情形下，写入元件的临界尺寸比写入元件和磁介质之间的间隙减小地更快。这提出了一项重大挑战：即不仅涉及磁场强度有效地减小，还更难以界定介质的磁场轮廓。其结果是离道磁场将导致例如相邻磁道或侧磁道擦除的不理想效果。因此，一个重要的设计因素是更有效地界定磁场，而不会明显地削弱介质处的磁场。

另外，在更高面积密度稳定的制造记录介质需要更硬磁的(即高矫顽性)存储介质材料。可通过增加记录装置的磁性材料的磁饱和值以增加施加于磁介质的磁场，从而对更硬磁的介质进行写入。然而，磁饱和值的增加速度不足以维持比特面积密度的年增长速度。另一种方法是通过引入在写入磁极头端附近的导体，该导体产生磁场以减少写入磁极附近的磁介质的矫顽性，从而提供更强的写磁场。这使数据可从写入磁极以较低磁场被写至具有高矫顽性的介质。然而，由于导体沿下磁道方向的有限厚度及其位置，由该导体产生的磁场可能对下磁道磁场梯度具有不利的影响。另外，由于引线材料暴露于腐蚀诱发剂，将电流传递给导体的引线会引起潜在的处理和可靠性问题。此外，当将侧屏蔽物(side shiled)包含在写入器中时，在面向介质的表面、写入磁极和辅助装置附近的一部分引线经常用磁性材料代替，这些材料通常不具有理想的电气和热学性质。

发明内容

本发明涉及包括具有写入元件头端的写入元件的磁装置，该写入元件头端界定一面向介质的表面。写入元件可操作以在面向介质的表面产生第一磁场。一导体靠近写入元件头端并且第一和第二导线连接于导体并配置成将电流传递至导体以产生增大第一磁场的第二磁场。第一和第二侧元件在面向介质的表面沿横向磁道方向被设置在写入元件头端的相对两侧。至少一部分第一导线在第一侧元件的面向介质的表面的相对侧上设置于第一侧元件附近，且至少一部分第二导线在第二侧元件的面向介质的表面的相对侧上设置于第二侧元件附近。

另一方面，磁装置包括具有写入元件头端的写入元件。写入元件可操作以在写入元件头端产生第一磁场。一导体在面向介质的表面靠近写入元件头端并具有最大可容许电流密度j_max、从面向介质的表面向在面向介质的表面远端的导体一侧延伸的镶条(stripe)高度h以及沿下磁道方向延伸的厚度t。具有最大电流I_max的电流源将电流提供给导体以产生增大第一磁场的第二磁场。镶条高度h大约等于I_max/(j_max×t)。

在又一方面，磁写入器包括写入元件，该写入元件具有界定面向介质的表面的写入元件头端。写入元件可操作以在面向介质的表面产生第一磁场。回路元件磁耦合于位于面向介质的表面远端的写入元件。导体在面向介质的表面处靠近写入元件头端。第一和第二导体热宿连接于导体并配置成将电流传递至导体以产生增大第一磁场的第二磁场。第一和第二侧屏蔽物在面向介质的表面沿横向磁道方向设置在写入元件头端的相对两侧。至少一部分第一侧屏蔽物在第一侧屏蔽物与面向介质的表面相对的一侧设置于第一导电热宿附近，而至少一部分第二侧屏蔽物在第二侧屏蔽物与面向介质的表面相对的一侧设置于第二导电热宿附近。

本发明上面的概述不旨在描述本发明的每个披露的实施例或每个实施方式。接下来的附图和详细说明更具体地给出示例性实施例。

附图说明

图1是磁记录系统的立体图。

图2是包含携带电流以产生辅助磁场的导体的磁写入器的立体图。

图3A是包括在面向介质的表面部分暴露的导线/热宿的磁写入器的横截面立体图。

图3B是图3A的磁写入器的面向介质的表面的图。

图3C是沿剖切线3C-3C剖切得到的图3A和3B的磁写入器的横截面图。

图4是作为具有各种尺寸的导体的横向磁道位置的函数的、靠近图3A-3C的磁写入器的面向介质的表面的有效磁场的分布图。

图5是作为具有各种尺寸的导体的下磁道位置的函数的、靠近图3A-3C的磁写入器的面向介质的表面的有效磁场的分布图。

图6A是包括暴露于面向介质的表面的细导线/热宿的磁写入器的面向介质的表面的图。

图6B是沿线6B-6B剖切得到的图6A的磁写入器的横截面图。

图7A是具有完全从面向介质的表面凹进的导线/热宿的磁写入器的面向介质的表面的图。