[发明专利]有机发光二极管显示器及其驱动方法

说明书

本申请要求享有于2008年2月22日提交的韩国专利申请No.10-2008-0016503的优先权，这里将其以全文引用的方式结合以供参考。 

技术领域

本发明涉及一种有机发光二极管显示器，尤其是一种能够通过防止驱动电流因驱动薄膜晶体管(TFT)随驱动时间产生的劣化而变劣从而来提高显示质量的有机发光二极管显示器及其驱动方法。 

背景技术

近来，人们研发出各种重量轻和尺寸小的平板显示设备来代替阴极射线管。这些平板显示设备的例子包括液晶显示器(LCD)、场致发光显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)、和电致发光器件。因为等离子体显示面板的结构和制造工艺简单，所以等离子体显示面板已经作为一种较轻和较薄的大尺寸显示设备为人们所注意。然而，等离子体显示面板的发光效率和亮度低并且其功耗高。作为一种替代产品，人们广泛使用以TFT作为开关器件的薄膜晶体管(TFT)LCD。然而，TFT-LCD是非发光设备。因此，TFT-LCD具有窄的视角和慢的响应速度。另一方面，电致发光器件是一种自发光器件。根据发光层材料的不同，电致发光器件可以分类为无机发光二极管显示器类别和有机发光二极管(OLED)显示器类别。因为OLED显示器包括自发光器件，所以OLED显示器具有高响应速度、高发光效率、强亮度、和宽视角。 

OLED显示器包括有机发光二极管。如图1所示，有机发光二极管包括位于阳极和阴极之间的有机化合物层78a、78b、78c、78d和78e。有机化合物层包括电子注入层78a、电子传输层78b、发光层78c、空穴传输层78d、和空穴注入层78e。当将驱动电压施加到阳极和阴极上时，穿过空穴传输层78d的空穴和穿过电子传输层78b的电子迁移到发光层78c，形成激子。由 此，发光层78c产生可见光。 

OLED显示器设置有矩阵形式的包括有机发光二极管的像素，并且根据数字视频数据的灰度等级控制由扫描脉冲所选择的像素的亮度。OLED显示器可分类为无源矩阵型OLED显示器和以薄膜晶体管作为开关器件的有源矩阵型OLED显示器。具体地，有源矩阵型OLED显示器选择性地导通用作开关器件的薄膜晶体管，以便选择像素，并使用由存储电容器存有的电压来保持像素发光。 

图2是用于示出现有技术的有源矩阵型OLED显示器中的一个像素的等效电路图。如图2所示，现有技术的有源矩阵型OLED显示器的像素包括有机发光二极管OLED、彼此交叉的数据线DL和栅线GL、开关薄膜晶体管SW、驱动薄膜晶体管DR、和存储电容器Cst。开关TFT SW和驱动TFT DR可以是N型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。 

开关TFT SW响应于经栅线GL接收的扫描脉冲而导通，并因而导通了开关TFT SW的源极和漏极之间的电流通路。在开关TFT SW的导通时间内，从数据线DL接收的数据电压经由开关TFT SW的源极和漏极施加到驱动TFT DR的栅极和存储电容器Cst上。驱动TFT DR根据驱动TFT DR的栅极和源极之间的电压差Vgs控制流进有机发光二极管OLED的电流。存储电容器Cst将施加给存储电容器Cst一端的电极的数据电压存储起来，以保持施加给驱动TFT DR的栅极的电压在一帧期间内不变。 

有机发光二极管OLED可以具有如图1所示的结构。有机发光二极管OLED连接在驱动TFT DR的源极和低电位驱动电压源VSS之间。图2所示的像素的亮度与流进有机发光二极管OLED的电流成比例，如下等式1所示： 

Vgs＝Vg—Vs

Vg＝Vdata，Vs＝Vss 

Ioled=β2(Vgs-Vth)2=β2(Vdata-Vss-Vth)2]]>