[发明专利]喷淋板和基板处理装置有效
申请号: | 200810175598.2 | 申请日: | 2008-11-07 |
公开(公告)号: | CN101431009A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
发明(设计)人: | 舆水地盐;传宝一树;持木宏政 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3065;H01J37/32;C23F4/00;H05H1/46 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷淋 处理 装置 | ||
1.一种喷淋板,其包含在配置在基板处理装置的处理室中且对该处理室内的处理空间供给处理气体的处理气体供给部,该喷淋板的特征在于:
该喷淋板介于处理气体导入空间和所述处理空间之间,该处理气体导入空间形成在所述处理气体供给部内,且用于导入所述处理气体,
该喷淋板具有处理气体供给路径,其连通所述处理气体导入空间和所述处理空间,
所述处理气体供给路径具有形成在所述处理气体导入空间侧的多个气孔和形成在所述处理空间侧的多个气槽,所述多个气孔和所述多个气槽相互连通,
所述全部的气槽的流路截面积的总和比所述全部的气孔的流路截面积的总和大,
所述多个气孔在所述多个气槽的底部并沿该气槽的长度方向均匀形成。
2.如权利要求1所述的喷淋板,其特征在于:所述全部的气槽的流路截面积的总和为所述全部的气孔的流路截面积的总和的1.75倍以上。
3.如权利要求1所述的喷淋板,其特征在于:所述气槽的深度比5mm大。
4.如权利要求1所述的喷淋板,其特征在于:所述多个气槽在所述处理空间侧的表面呈直线状且相互平行。
5.如权利要求1所述的喷淋板,其特征在于:该喷淋板由在铅直方向一分为二的第一部件和第二部件构成,
所述第一部件配置在所述气体导入空间侧,并且所述第二部件配置在所述处理空间侧,
所述多个气孔形成在所述第一部件上,并且所述多个气槽形成在所述第二部件上。
6.一种基板处理装置,其具有:收容基板并实施处理的处理室、和配置在该处理室中并向该处理室内的处理空间供给处理气体的处理气体供给部,其特征在于:
所述处理气体供给部具有喷淋板,该喷淋板介于处理气体导入空间和所述处理空间之间,该处理气体导入空间形成在该处理气体供给部内,且用于导入所述处理气体,
该喷淋板具有处理气体供给路径,其连通所述处理气体导入空间以及所述处理空间,
所述处理气体供给路径具有形成在所述喷淋板的所述处理气体导入空间侧的多个气孔和形成在所述喷淋板的所述处理空间侧的多个气槽,所述多个气孔和所述多个气槽相互连通,
所述全部的气槽的流路截面积的总和比所述全部的气孔的流路截面积的总和大,
所述多个气孔在所述多个气槽的底部并沿该气槽的长度方向均匀形成。
7.如权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于:
所述处理气体供给部具有冷却板,该冷却板介于所述处理气体导入空间和所述喷淋板之间,并且用于冷却该喷淋板,
该冷却板具有连通所述处理气体导入空间和所述处理气体供给路径的多个贯通孔。
8.一种基板处理装置,其具有:收容基板并实施处理的处理室、和配置在该处理室中并向该处理室内的处理空间供给处理气体的处理气体供给部,其特征在于:
所述处理气体供给部具有:喷淋板,该喷淋板介于处理气体导入空间以及所述处理空间之间,该处理气体导入空间形成在该处理气体供给部内,且用于导入所述处理气体;和冷却板,该冷却板介于所述处理气体导入空间以及所述喷淋板之间,并且用于冷却该喷淋板,其中,
所述喷淋板具有在铅直方向贯通且与所述处理空间连通的多个气槽,
所述冷却板具有连通所述处理气体导入空间和所述多个气槽的多个气孔,
所述全部的气槽的流路截面积的总和比所述全部的气孔的流路截面积的总和大,
所述多个气孔在所述多个气槽的底部并沿该气槽的长度方向均匀形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造